基于LBO晶体元器件的高抗损伤镀膜技术与方法技术

技术编号:26473465 阅读:55 留言:0更新日期:2020-11-25 19:14
本发明专利技术所提出一种基于LBO晶体元器件的高抗损伤镀膜技术与方法,针对LBO晶体和膜料特性,采用Y

【技术实现步骤摘要】
基于LBO晶体元器件的高抗损伤镀膜技术与方法
本专利技术涉及晶体镀膜领域,特别涉及一种晶体高抗损伤镀膜技术。
技术介绍
激光得益于其良好的单色性、相干性、方向性和高能量密度的特点,在产业及科研的多个领域得到广泛应用,以精密激光加工等为代表的先进加工技术成为现代制造工业的前沿技术。紫外激光加工具有穿透深度、极高的可聚焦密度,其表现出不伤基底的“高度局域化”加工特性。随着激光功率提高,对晶体表面薄膜抗激光损伤要求也越来越高。
技术实现思路
本专利技术所提出一种基于LBO晶体元器件的高抗损伤镀膜技术与方法,结合LBO晶体和膜料的特性,利用氧化钇Y2O3作为打底层,与基底结合力好,制备的膜层牢固度好。利用HfO2和SiO2两种膜料组合获得高抗激光损伤薄膜,膜系结构为:S/0.3M/0.36H/0.7M/0.7L/A,其中S代表基底材料,A代表空气,M代表1/4基频波长厚度的Y2O3,H代表1/4基频波长厚度的HfO2,L代表1/4基频波长厚度的SiO2。本专利技术采用莱宝镀膜机,在真空环境中将基片表面加热至1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于LBO晶体元器件的高抗损伤镀膜技术与方法,其特征在于:膜系采用Y

【技术特征摘要】
1.一种基于LBO晶体元器件的高抗损伤镀膜技术与方法,其特征在于:膜系采用Y2O3,HfO2和SiO2三种膜料的组合,膜系结构为S/0.3M/0.36H/0.7M/0.7L/A,其中S代表基底材料,A代表空气,M代表1/4基频波长厚度的Y2O3,H代表1/4基频波长厚度的HfO2,L代表1/4基频波长厚度的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王昌运陈伟张星陈秋华谢发利
申请(专利权)人:福建福晶科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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