【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及闪烁元件、闪烁阵列、闪烁元件的制备方法和闪烁阵列的制备方法,特别地,涉及可用于计算机X射线层析照相(CT)领域中的闪烁 元件和闪烁阵列。
技术介绍
在计算机X射线层析照相(CT)中,目前将荧光陶瓷Gd202S:Pr,Ce(GOS) 用作闪烁器材料以将x射线光子转换为可见光。GOS具有高光产率和吸收 效率的优点,但是一般地在辐射后会显示余辉信号。该余辉具有信号作用, 其非常高并且持续时间长以致于重构图象受严重的假相(artefacts)的影响。 陶瓷片的适当的后处理,例如,通过在空气中退火数小时,可以减少这样 的余辉。除了余辉之外,光产率的问题是对于CT应用最为重要的。在传 统的CT检测器中,使用反射涂布材料,其在五个侧面覆盖每个CT检测器 像素(pixel),从而增加位于第六侧面的光敏光电二极管上的光碰撞的量。
技术实现思路
期望提供一种有效的,其中闪烁元 件和闪烁阵列可用于计算机X射线层析照相领域中。该需求可以通过根据独立权利要求的闪烁元件、闪烁阵列、闪烁元件 的制备方法和闪烁阵列的制备方法而实现。根据一个示例性实施方式,提供一种闪烁元件,其包含闪烁 ...
【技术保护点】
闪烁元件,其包含闪烁材料和反射层,其中所述反射层以所述闪烁材料的内在部分形成。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:G蔡特勒,H施赖讷马赫尔,CR龙达,N康拉茨,
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]
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