有机树脂膜的去除方法及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种有机树脂膜的去除方法，其包含：光照射工序[4‑1]，其向在构造物(40)上被赋予的有机树脂膜(50)，照射特定波长区域的照射光IL；抗蚀剂剥离工序(剥离工序的一个例子)[4‑2]，其在所述光照射工序[4‑1]后，从构造物(40)上剥离抗蚀剂膜(50)，通过有机树脂膜的去除方法去除。

【技术实现步骤摘要】
有机树脂膜的去除方法及半导体装置的制造方法技术区域由本说明书公开的技术涉及一种有机树脂膜的去除方法及半导体装置的制造方法。
技术介绍
作为半导体的一个例子，已知包含：包含半导体膜、金属膜等的导电膜TFT(ThinFilmTransistor、薄膜晶体管)的开关元件被设置的阵列基板(TFT基板、薄膜晶体管基板)为公众所知。阵列基板构成例如液晶面板等显示面板，通过在玻璃基板上，各种膜等被蚀刻成图案状，来使TFT、电极、栅极配线、源极配线等的各种结构物被设置。用于图案形成的抗蚀剂膜，通常由有机树脂构成，在蚀刻后，通过剥离液清洗处理、氧灰化处理等被剥离去除，但是若抗蚀剂膜未被完整地剥离而残存，则会导致各种的不良。因此，例如在以下专利文献1中提出了，剥离处理之前，通过预先使得抗蚀剂膜回流变形，来缩短剥离处理时间的方法。现有技术文件专利文献专利文献1：特许3522249号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在专利文献1中，通过将基板等的对象物暴露于药液气体中，而使得抗蚀剂膜回流变形，并对膜厚进行薄型化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机树脂膜的去除方法，其特征在于，包括：/n光照射工序，向在构造物上被赋予的有机树脂膜，照射特定波长区域的光；剥离工序，在所述光照射工序后，从所述构造物上剥离所述有机树脂膜。/n

【技术特征摘要】
20190531 US 62/8553771.一种有机树脂膜的去除方法，其特征在于，包括：
光照射工序，向在构造物上被赋予的有机树脂膜，照射特定波长区域的光；剥离工序，在所述光照射工序后，从所述构造物上剥离所述有机树脂膜。


2.根据权利要求1所述的有机树脂膜的去除方法，其特征在于，所述有机树脂膜由包含感光剂的感光性树脂构成。


3.根据权利要求1或2所述的有机树脂膜的去除方法，其特征在于，所述特定波...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本和之，西村淳，市川雅士，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP