一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺制造技术

本发明专利技术属于薄膜晶体管加工技术领域，提供了一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺。该电子级TFT光阻剥离液的制备工艺包括将剥离液的原料混合后过滤即得；原料包括：有机胺、二甲基亚砜、二乙二醇单丁醚、N‑甲基吡咯烷酮、二甲基乙酰胺、四甲基氢氧化铵以及羟胺。由该制备工艺制备得到的光阻剥离液质量稳定，对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力，能够完全去除光刻胶，无残留。

【技术实现步骤摘要】
一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺
本专利技术属于薄膜晶体管加工
，具体地说，涉及一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉淀各种不同的薄膜，如半导体主动层、介质层和金属电极层。薄膜晶体管是液晶显示器的关键器材，对显示器的工作性能具有十分重要的作用。在TFT的制造过程中需要在其表面形成导电性金属膜或SiO2膜等绝缘膜，再在膜上均匀涂布光刻胶，将其进行选择性的曝光、显象处理，形成光刻胶图案，以该图案为掩模，选择性地蚀刻导电性金属膜或绝缘膜，形成微细回路，之后用剥离液除去不需要的光刻胶层。在除去该不需要的光刻胶层时，需要使用到剥离液。可见剥离液的选择和使用会直接影响到TFT的性能。现有技术中的剥离液常由于质量不稳定，容易导致剥离效果差，从而会导致不能完全除去产生的各种残渣物，造成TFT制造的合格率下降。
技术实现思路
针对现有技术中上述的不足，本专利技术的目的在于提供了一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，由该制备工艺制备得到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，其特征在于：包括：将剥离液的原料混合后过滤即得；所述原料按重量份数计包括：有机胺4000-6000份、二甲基亚砜600-800份、二乙二醇单丁醚6400-6600份、N-甲基吡咯烷酮3300-3400份、二甲基乙酰胺3900-4100份、四甲基氢氧化铵190-210份以及羟胺240-260份。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，其特征在于：包括：将剥离液的原料混合后过滤即得；所述原料按重量份数计包括：有机胺4000-6000份、二甲基亚砜600-800份、二乙二醇单丁醚6400-6600份、N-甲基吡咯烷酮3300-3400份、二甲基乙酰胺3900-4100份、四甲基氢氧化铵190-210份以及羟胺240-260份。


2.根据权利要求1所述的电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，其特征在于：按重量份数计，所述有机胺为4900-5900份、所述二甲基亚砜690-790份、所述二乙二醇单丁醚6490-6590份、所述N-甲基吡咯烷酮3310-3390份、所述二甲基乙酰胺3990-4090份、所述四甲基氢氧化铵195-205份以及所述羟胺249-259份。


3.根据权利要求2所述的电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，其特征在于：按重量份数计，所述有机胺为5000.5份、所述二甲基亚砜700.07份、所述二乙二醇单丁醚6500.65份、所述N-甲基吡咯烷酮3350.34份、所述二甲基乙酰胺4000.4份、所述四甲基氢氧化铵200.02份以及所述羟胺250.03份。


4.根据权利要求1-3中任意一项所述的电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，其特征在于：所述有机胺包括二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺中的至少一种。


5.根据权利要求1-3中任意一项所述的电子级TFT光阻剥离液的制备工艺，其特征在于：所述有机胺的浓度为72％。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈重佑，陈少骏，邱建铭，吴俊贤，骆彦成，吴全贵，林德荣，任建业，
申请(专利权)人：福建天甫电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35