一种去除光刻胶的方法技术

本申请提供一种去除光刻胶的方法，其中，光刻胶形成于有机高分子材料表面，所述方法包括：在以所述光刻胶为掩模对所述有机高分子材料进行干法刻蚀之后，使用等离子体对所述光刻胶进行处理；以及使用去胶溶剂去除所述有机高分子材料表面的所述光刻胶。根据本申请的方法，能够有效地去除干法刻蚀后的有机高分子材料表面的光刻胶。

【技术实现步骤摘要】
一种去除光刻胶的方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种去除光刻胶的方法。
技术介绍
聚酰亚胺(PI)因具有耐高温、易去除以及与其他材料的兼容性良好等特点，经常在微机电系统(MEMS)制造工艺中作为有机牺牲层来支撑结构。在MEMS制造工艺中，经常需要将聚酰亚胺(PI)刻蚀成需要的形状，通常的工艺是：在聚酰亚胺(PI)表面覆盖光刻胶，通过光刻、显影等工艺将光刻胶图形化，然后，以光刻胶为掩模，使用干法刻蚀的方式对聚酰亚胺(PI)进行刻蚀，从而将光刻胶的图案转移到聚酰亚胺(PI)上。在聚酰亚胺(PI)刻蚀完成后，需要将聚酰亚胺(PI)表面残留的光刻胶去除。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
本申请的专利技术人发现，由于聚酰亚胺(PI)是有机高分子材料，与光刻胶的性质类似，所以聚酰亚胺(PI)表面的光刻胶的去除存在一些困难：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种去除光刻胶的方法，其中，光刻胶形成于有机高分子材料表面，所述方法包括：/n在以所述光刻胶为掩模对所述有机高分子材料进行干法刻蚀之后，使用等离子体对所述光刻胶进行处理；以及/n使用去胶溶剂去除所述有机高分子材料表面的所述光刻胶。/n

【技术特征摘要】
1.一种去除光刻胶的方法，其中，光刻胶形成于有机高分子材料表面，所述方法包括：
在以所述光刻胶为掩模对所述有机高分子材料进行干法刻蚀之后，使用等离子体对所述光刻胶进行处理；以及
使用去胶溶剂去除所述有机高分子材料表面的所述光刻胶。


2.如权利要求1所述的方法，其中，
使用等离子体对所述光刻胶进行去除所述光刻胶表面因干法刻蚀而产生的碳化层的处理。


3.如权利要求1所述的方法，其中，
所述等离子体为氧等离子体。


4.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：许杨，朱兴旺，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31