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本申请提供一种去除光刻胶的方法，其中，光刻胶形成于有机高分子材料表面，所述方法包括：在以所述光刻胶为掩模对所述有机高分子材料进行干法刻蚀之后，使用等离子体对所述光刻胶进行处理；以及使用去胶溶剂去除所述有机高分子材料表面的所述光刻胶。根据本申...
该专利属于上海新微技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司授权不得商用。

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