【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法
相关申请的交叉引用本申请要求于2019年3月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0033204号的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。本公开内容涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法。更具体地,其涉及用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物以及涉及使用其剥离光致抗蚀剂的方法,该剥离剂组合物在能够表现出对光致抗蚀剂优异的剥离能力的同时能够抑制剥离过程期间下部金属膜的腐蚀并且能够有效地除去氧化物。
技术介绍
液晶显示装置的微电路或半导体集成电路的制造过程包括以下几个步骤:在基底上形成各种下部膜,例如,由铝、铝合金、铜、铜合金、钼或钼合金制成的导电金属膜,或者绝缘膜(例如硅氧化物膜、硅氮化物膜或丙烯酸类(acryl)绝缘膜);在下部膜上均匀地施加光致抗蚀剂;任选地使所施加的光致抗蚀剂曝光并显影以形成光致抗蚀剂图案;以及用该光致抗蚀剂图案作为掩模对下部膜进行图案化。在图案化步骤之后,进行除去保留在下部膜上的 ...
【技术保护点】
1.一种用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物,包含:其中氮原子经1个或2个具有1至5个碳原子的线性或支化烷基取代的酰胺化合物;/n胺化合物;/n极性有机溶剂;/n甲巯咪唑;和/n基于三唑的化合物。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190322 KR 10-2019-00332041.一种用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物,包含:其中氮原子经1个或2个具有1至5个碳原子的线性或支化烷基取代的酰胺化合物;
胺化合物;
极性有机溶剂;
甲巯咪唑;和
基于三唑的化合物。
2.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物,
其中所述甲巯咪唑与所述基于三唑的化合物的重量比为1:1至1:50。
3.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物,
其中基于100重量份的所述胺化合物,所述甲巯咪唑和所述基于三唑的化合物总计以1重量份至30重量份包含在内。
4.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物,
其中所述基于三唑的化合物包括选自以下的至少一种化合物:(2,2’-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇、4,5,6,7-四氢-1H-苯并三唑、1H-苯并三唑、1H-1,2,3-三唑和甲基1H-苯并三唑。
5.根据权利要求1所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物,
其中所述胺化合物包括重均分子量为95g/mol或更大的环状胺化合物。
6.根据权利要求5所述的用于除去光致抗蚀剂的剥离剂组合物,<...
【专利技术属性】
技术研发人员:朴泰文,李东勋,宋贤宇,李佑然,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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