一种半导体封装工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体封装的技术领域，特别是涉及一种半导体封装工艺，具有良品率高，生产效率高，并且节省电能以及原材料的优点；包括以下步骤：S1、通过冲压成型方式，形成半导体引线框架；S2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理；S3、在半导体引线框架表面均匀制作焊盘；S4、通过注塑方式在半导体引线框架边缘区域形成塑胶框架；S5、将芯片贴在半导体引线框架的中部；S6、焊线焊接；S7、滴胶盖帽：使用点胶机将改性环氧树脂分子滴在芯片处，使胶将芯片、焊线以及焊盘覆盖住，然后进行冷却；S8、打标、测试后封管。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装工艺
本专利技术涉及半导体封装的
，特别是涉及一种半导体封装工艺。
技术介绍
众所周知，目前半导体传感芯片引线框架表面处理采用镀银镀金工艺，具有以下缺点：一是氰化物在电镀工艺中起到络合的作用，使之在阴极得到电子沉积下来，有氰化物络合使镀层细密光滑，成品质量较高，氰化物和目标金属离子形成的络合物在阴极附近聚集，形成阴极极化的效果，阴极极化程度越高越好，传统引线框架表面处理采用镀银镀金氰化电镀工艺，氰化物在生产过程中所产生的废气可危害生命，氰化物有固废，废液，废气等，国家环保提倡电镀工艺为微氰电镀及无氰电镀，固废和液废都非常难收回；二是金线成本高，辅材投入大，半导体封装后端设备投入巨大，模压效率低。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体封装工艺，具有良品率高，生产效率高，并且节省电能以及原材料的优点。本专利技术的一种半导体封装工艺，包括以下步骤：S1、通过冲压成型方式，形成半导体引线框架；S2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理；r>S3、在半导体引本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、通过冲压成型方式，形成半导体引线框架；/nS2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理；/nS3、在半导体引线框架表面均匀制作焊盘；/nS4、通过注塑方式在半导体引线框架边缘区域形成塑胶框架；/nS5、将芯片贴在半导体引线框架的中部；/nS6、焊线焊接；/nS7、滴胶盖帽：使用点胶机将改性环氧树脂分子滴在芯片处，使胶将芯片、焊线以及焊盘覆盖住，然后进行冷却；/nS8、打标、测试后封管。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、通过冲压成型方式，形成半导体引线框架；
S2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理；
S3、在半导体引线框架表面均匀制作焊盘；
S4、通过注塑方式在半导体引线框架边缘区域形成塑胶框架；
S5、将芯片贴在半导体引线框架的中部；
S6、焊线焊接；
S7、滴胶盖帽：使用点胶机将改性环氧树脂分子滴在芯片处，使胶将芯片、焊线以及焊盘覆盖住，然后进行冷却；
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘明平，
申请(专利权)人：湖南方彦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43