一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，通过在SiC功率芯片表面形成具有若干金属图形的金属层，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。金属图形为条状，金属层厚度小于或等于键合线直径，金属图形之间的间距大于键合线直径。本发明专利技术在不改变键合工艺的情况下提升了键合线功率循环能力，提高器件使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法
本专利技术属于功率器件封装
，具体涉及一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)功率器件的应用可大幅提高电力电子变换器的性能，目前在工业变频、电动汽车、轨道牵引、再生能源发电等诸多场合中已获得初步应用。随着SiC材料和工艺技术的日趋成熟，SiC功率器件有望取代传统的Si基功率器件，在未来的电力电子变换器中获得更为广泛的应用与发展。SiC器件中由于封装材料热膨胀系数的不同，芯片键合点在应用中承担机械应力。应用中温度循环对键合点的剥离效应不断积累，最后超出键合处的承受能力，导致键合引线键合点裂纹或完全脱离焊盘。当其中一根或几根键合线略微或全部翘起时会导致电流分配不均，超出键合引线所能承受的载荷极限，导致更多的键合引线剥离键合处或翘曲，若器件不能及时停止工作，会出现器件由于过热而导致的失效。SiC芯片工作温度可以超过250℃，远高于目前Si基IGBT芯片的175℃，更高的工作温度对芯片键合线可靠性带来了极大的挑战。近些年，研究人员通过匹配封装材料之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，其特征在于，通过在SiC功率芯片(1)表面形成具有若干金属图形的金属层(2)，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，其特征在于，通过在SiC功率芯片(1)表面形成具有若干金属图形的金属层(2)，使得键合后键合点与芯片表面铝金属化形成三维连接结构，提升芯片功率循环能力。


2.根据权利要求1所述的一种提高SiC功率芯片键合线功率循环能力的方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谌娟，郭庆吉，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61