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本发明涉及半导体封装的技术领域，特别是涉及一种半导体封装工艺，具有良品率高，生产效率高，并且节省电能以及原材料的优点；包括以下步骤：S1、通过冲压成型方式，形成半导体引线框架；S2、对半导体引线框架表面进行镀锡镀镍特殊表层处理；S3、在半导...
该专利属于湖南方彦半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南方彦半导体有限公司授权不得商用。

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