用于操作半导体器件的方法及半导体器件技术

本发明专利技术公开了一种用于操作半导体器件的方法及半导体器件。所述半导体器件包括外围器件，与所述外围器件对应连接的局部字线，以及与所述局部字线对应连接的至少一个存储单元，所述外围器件包括公共电极以及与所述局部字线连接的输出电极，所述方法包括：在所述半导体器件处于待机状态时，向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，使所述局部字线的电压稳定在预设电压范围内。本发明专利技术能够减少第一次读取的错误位数，避免读取错误。

【技术实现步骤摘要】
用于操作半导体器件的方法及半导体器件
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种用于操作半导体器件的方法及半导体器件。
技术介绍
在半导体器件长期处于待机状态时，局部字线(localwordline，LWL)上的电压被缓慢放电，导致存储单元的有效电压产生变化，进而导致存储单元中的沟道电荷重新平衡后的密度发生变化，即重新平衡后的状态与重新平衡前的状态不一样。在第一次读取(firstread)时，由于存储单元中沟道电荷的状态发生变化，因此感应电流(sensingcurrent)受到电荷的补充或捕获，导致读出来的数据错误。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于操作半导体器件的方法及半导体器件，能够减少第一次读取的错误位数，避免读取错误。本专利技术提供了一种用于操作半导体器件的方法，所述半导体器件包括外围器件，与所述外围器件对应连接的局部字线，以及与所述局部字线对应连接的至少一个存储单元，所述外围器件包括公共电极以及与所述局部字线连接的输出电极，所述方法包括：在所述半导体器件处于待机状态时，向所述外围器件的公共电极施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述半导体器件包括外围器件，与所述外围器件对应连接的局部字线，以及与所述局部字线对应连接的至少一个存储单元，所述外围器件包括公共电极以及与所述局部字线连接的输出电极，所述方法包括：/n在所述半导体器件处于待机状态时，向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，使所述局部字线的电压稳定在预设电压范围内。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述半导体器件包括外围器件，与所述外围器件对应连接的局部字线，以及与所述局部字线对应连接的至少一个存储单元，所述外围器件包括公共电极以及与所述局部字线连接的输出电极，所述方法包括：
在所述半导体器件处于待机状态时，向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，使所述局部字线的电压稳定在预设电压范围内。


2.根据权利要求1所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述外围器件在施加所述第一电压信号后所述局部字线不漏电。


3.根据权利要求1所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述外围器件为驱动晶体管，所述驱动晶体管的源极为所述公共电极，所述驱动晶体管的漏极为所述输出电极；
所述向所述外围器件的公共电极施加第一电压信号，包括：
向所述驱动晶体管的源极施加第一电压信号，使施加所述第一电压信号后的源极电压等于所述驱动晶体管的漏极电压。


4.根据权利要求3所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：
向所述驱动晶体管的漏极施加第二电压信号，使施加所述第一电压信号后的源极电压等于施加所述第二电压信号后的漏极电压。


5.根据权利要求1所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述预设电压范围为1V至目标电压，所述目标电压为所述半导体器件处于工作状态时所述外围器件的输出电极的电压。


6.根据权利要求1所述的用于操作半导体器件的方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述半导体器件处于工作状态时，停止向所述外围器件的公共电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱俊瑶，黄雪青，许鑫，金海林，尤齐，王礼维，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42