界面错配度计算方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种界面错配度计算方法及装置，该方法包括：建立两相晶体结构模型；根据两相晶体结构模型选取两相晶面；根据两相晶面选取两相晶向；根据两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；根据两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角，计算界面错配度。本发明专利技术通过选取两相晶体的晶面和晶向，获取对应晶向原子间距和对应晶向原子夹角，计算界面错配度，从而判断界面关系。

【技术实现步骤摘要】
界面错配度计算方法及装置
本专利技术涉及材料结构表征及建模计算领域，尤其涉及一种界面错配度计算方法及装置。
技术介绍
界面是不同原子阵列的结合处，广泛存在于金属合金、复合材料、膜材料等，界面关系都对材料加工、性能和应用服役都有着重要影响，可以通过调控界面结构获取性能优异的材料，但界面结构表征量化存在诸多问题。界面错配度作为最基础的界面结构参数，现有的量化表征方法需要判断出基底相与形核相，较为复杂且应用场景局限在凝固过程，更为严重的是相同的界面结构其量化值却不一定是唯一的。因此，实现任一界面结构的界面错配度准确表征，并且使对任一界面结构其界面错配度值具有唯一性，成为目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种界面错配度计算方法及装置，用于解决现有技术计算复杂且应用场景局限，针对某一具体界面晶体结构，其界面错配度却不一定是唯一的，无法准确量化表征界面结构，从而影响材料界面结构表征。第一方面，本专利技术提供一种界面错配度计算方法，包括：建立两相晶体结构模型；根据两相晶体结构模型选取两相晶面；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种界面错配度计算方法，其特征在于，包括：/n建立两相晶体结构模型；/n根据所述两相晶体结构模型选取两相晶面；/n根据所述两相晶面选取两相晶向；/n根据所述两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；/n根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角，计算界面错配度。/n

【技术特征摘要】
1.一种界面错配度计算方法，其特征在于，包括：
建立两相晶体结构模型；
根据所述两相晶体结构模型选取两相晶面；
根据所述两相晶面选取两相晶向；
根据所述两相晶向获取两相对应晶向原子间距和两相对应晶向原子夹角；
根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角，计算界面错配度。


2.根据权利要求1所述的计算方法，其特征在于，所述两相包括基底相和形核相。


3.根据权利要求1或2任一所述的计算方法，其特征在于，还包括：根据所述界面错配度和预设阈值，获取界面关系。


4.根据权利要求1或2任一所述的计算方法，其特征在于，所述两相对应晶向原子夹角为锐角。


5.根据权利要求1或2任一所述的计算方法，其特征在于，所述根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角，计算界面错配度，包括：
根据所述两相对应晶向原子间距，计算对角边晶向错配度；
根据所述两相对应晶向原子间距和所述两相对应晶向原子夹角，计算两边晶向错配度；
根据所述对角边晶向错配度和所述两边晶向错配度，计算界面错配度。


6.根据权利要求5所述的计算方法，其特征在于，所述根据所述两相对应晶向原子间距，计算对角边晶向错配度，包括：
根据所述两相对应晶向原子间距，计算两相对角边晶向原子间距；
根据所述两相对角边晶向原子间距...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志波，温丽涛，
申请(专利权)人：广东省材料与加工研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44