【技术实现步骤摘要】
屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及存储介质
本申请实施例涉及终端
，特别涉及一种屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
随着电子产品高速化发展，印刷电路板(PrintedCircuitBoard，PCB)对电磁兼容性(ElectroMagneticCompatibility，EMC)的要求也越来越高。在PCB设计中，终端屏蔽罩接地是一个复杂问题，而良好的接地起到了保护屏蔽罩内部的元器件以及屏蔽外部电磁干扰的作用。相关技术中，通常采用实验的方式对屏蔽罩的接地性能进行评估。比如，采用测量直流电阻的方式来判断屏蔽罩的接地性能，或者，通过测试终端的辐射灵敏度，从而根据辐射灵敏度以及对干扰信号的抑制情况，判断屏蔽罩的接地性能是否符合要求。然而，采用上述对屏蔽罩的接地性能进行评估时，无法对屏蔽罩上不同部位的接地状况进行完整评估，不利于后续对屏蔽罩进行改进设计，导致屏蔽罩的设计研发周期较长。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种屏蔽罩接地性能的确定方法、装置、设备及...
【技术保护点】
1.一种屏蔽罩接地性能的确定方法，其特征在于，所述方法包括：/n确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；/n根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；/n根据各个所述采样点的所述分布式阻抗，构建所述屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；/n根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能。/n
【技术特征摘要】
1.一种屏蔽罩接地性能的确定方法，其特征在于，所述方法包括：
确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；
根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；
根据各个所述采样点的所述分布式阻抗，构建所述屏蔽罩对应的分布式阻抗矩阵；
根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数，包括：
根据所述屏蔽罩的尺寸确定采样步长；
根据所述采样步长，确定所述屏蔽罩上的各个所述采样点，各个所述采样点位于所述屏蔽罩上以所述采样步长为边长的各个正方形区域的中心；
分别获取各个所述采样点处的所述材料特性参数。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述材料特性参数包括：
各个所述采样点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数；
或，
各个所述采用点处屏蔽罩材料的屏蔽罩材料特性参数和辅助接地材料的辅助接地材料特性参数，所述辅助接地材料用于辅助所述屏蔽罩材料接地。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述屏蔽罩材料特性参数包括第一电导率、第一厚度参数、第一应力形变参数和第一接触参数中的至少一种；
所述辅助接地材料特性参数包括第二电导率、第二厚度参数、第二应力形变参数和第一接触参数中的至少一种。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数之前，所述方法还包括：
获取多个测试件对应的分布式阻抗测量值，所述测试件包括屏蔽罩材料测试件和辅助接地材料测试件；
根据所述分布式阻抗测量值以及所述测试件对应的所述材料特性参数，确定所述预设的分布式阻抗公式中各项所述屏蔽罩材料特性参数对应的第一运算系数，以及各项所述辅助接地材料特性参数对应的第二运算系数。
6.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能，包括：
根据所述分布式阻抗矩阵计算第一平均值，所述第一平均值是所述分布式阻抗矩阵中各项数据的平均值；
根据所述第一平均值确定所述屏蔽罩的接地性能，所述屏蔽罩的接地性能与所述第一平均值呈正相关关系。
7.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述根据所述分布式阻抗矩阵确定所述屏蔽罩的接地性能，包括：
确定所述屏蔽罩上的目标区域，所述目标区域与干扰源所在的区域对应；
确定所述分布式阻抗矩阵中与所述目标区域对应的矩阵区域；
计算所述矩阵区域中各项数据的第二平均值；
根据所述第二平均值确定所述目标区域处所述屏蔽罩的接地性能。
8.一种屏蔽罩接地性能的确定装置，其特征在于，所述装置包括：
采样模块，被配置为确定屏蔽罩上的采样点，并获取各个所述采样点处的材料特性参数；
计算模块，被配置为根据所述材料特性参数，通过预设的分布式阻抗公式计算各个所述采样点的分布式阻抗；
矩阵生成模...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘嘉男，
申请(专利权)人：北京小米移动软件有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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