一种噪声抵消低噪声放大器制造技术

本申请属于射频集成电路领域，具体的说，是涉及一种基于变压器无源电压增益的噪声抵消低噪声放大器，其包括第一晶体管和第二晶体管，处于共栅结构工作状态的第一晶体管的源极依次通过变压器和电容器后，与处于共源结构工作状态的第二晶体管的栅极相连，变压器将输入信号与第二晶体管之间进行耦合并进行电压放大，电容器起到隔离直流，耦合信号的作用；本申请引入变压器耦合结构，提供了无源的电压放大功能，从而降低了反相放大器设计中对共源结构晶体管跨导和增益的要求，降低了电路设计难度，使噪声抵消结构的低噪声放大器可以应用在更高的频段，如毫米波频段。

【技术实现步骤摘要】
一种噪声抵消低噪声放大器
本申请属于射频集成电路领域，具体的说，是涉及一种基于变压器无源电压增益的噪声抵消低噪声放大器。
技术介绍
在通信系统和其他的电子系统中，经常需要利用被称为低噪声放大器（LNA）的电路将某一射频（RF）带内的信号进行低噪声的放大。低噪声放大器是接收链路的第一级有源电路模块，其只要作用是再引入较少噪声的前提下对天线接收到的微弱射频信号进行放大，从而一直后级电路模块对整体接收机链路的噪声贡献，保证接收机的整体性能。其设计需要考虑到增益、噪声系数、带宽、线性度和功耗等多个指标的折中。根据应用场景的不同，对LNA指标的要求和侧重点也不同，因此，为满足不同的应用需求，LNA电路可能具有不一样的架构，常用的架构包括：共栅低噪声放大器、共源低噪声放大器、共源共栅低噪声放大器、分布式低噪声放大器、反馈式低噪声放大器、噪声抵消结构低噪声放大器等多种结构。其中共栅低噪声放大器、共源低噪声放大器、共源共栅低噪声放大器、分布式低噪声放大器、反馈式低噪声放大器等电路结构，可查看：THEDESIGNOFCMOSRADIO-FREQU本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种噪声抵消低噪声放大器，其特征在于：包括第一晶体管（51）和第二晶体管（52），处于共栅结构工作状态的第一晶体管（51）的源极依次通过变压器（70）和电容器（31）后，与处于共源结构工作状态的第二晶体管（52）的栅极相连，变压器（70）将输入信号与第二晶体管（52）之间进行耦合并进行电压放大，电容器（31）起到隔离直流，耦合信号的作用；从而实现共源级晶体管的偏置。/n

【技术特征摘要】
1.一种噪声抵消低噪声放大器，其特征在于：包括第一晶体管（51）和第二晶体管（52），处于共栅结构工作状态的第一晶体管（51）的源极依次通过变压器（70）和电容器（31）后，与处于共源结构工作状态的第二晶体管（52）的栅极相连，变压器（70）将输入信号与第二晶体管（52）之间进行耦合并进行电压放大，电容器（31）起到隔离直流，耦合信号的作用；从而实现共源级晶体管的偏置。


2.根据权利要求1所述的一种噪声抵消低噪声放大器，其特征在于：变压器（70）包括第一电感器（71）和第二电感器（72）叠加而成，第一电感器（71）的一端和第二电感器（72）的一端均连接到地（17），第一电感器（71）的另一端和第二电感器（72）的另一端作为变压器（70）的输入和输出端口。


3.根据权利要求2所述的一种噪声抵消低噪声放大器，其特征在于：第一电感器（71）的一端连接到第一晶体管（51）的源级，第二电感器（72）的一端连接到电容器（31）的一端，电容器（31）另一端连接到第二晶体管（52）的栅极。


4.根据权利要求2所述的一种噪声抵消低噪声放大器，其特征在于：电路的信号输入端口（11）与第一晶体管（51）的源级以及变压器（70）中第一电感器（71）的端口连接在一起。


5.根据权利要求1所述的一种噪声抵消低噪声放大器，其特征在于：第一晶体管（51）的漏极连接到第一电源偏置（41）上，同时作为电路的信号正相输出端（12）；第二晶体管（52）的漏极连接到第二电源偏置（42）上，同...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雪颖，余正冬，张高峰，章圣长，
申请(专利权)人：成都瑞迪威科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51