【技术实现步骤摘要】
一种基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器
本专利技术涉及集成电路设计领域,尤其涉及一种基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器。
技术介绍
随着社会的进步,科学技术的发展,通信技术也在飞速的发展。无线通信系统因其高度灵活性,机动性而使得它应用日益广泛。低噪声放大器具有放大信号的同时抑制噪声干扰提高系统灵敏度的非常重要的电路,常置于用于无线通信接收系统的前端。设计低噪声放大器时,除了降低噪声外,还要求有适当的增益,线性度高,并且能对天线或滤波器进行良好的输入输出匹配。电感在射频集成电路中有着广泛的应用,包括阻抗匹配,低噪声放大器,射频功率放大器,混频器,VCO等。电感的设计是目前射频集成电路面临的一个难题。电感的性能通常会决定阻抗匹配电路,低噪放以及射频功率放大器的整体性能,产品的性能通常会随着电感性能的提升而得以整体改善。因此,提高电感的整体性能是目前射频集成电路的一个重要内容。摩尔定律表明,集成电路的发展趋势是尺寸不断减少。而对片上电感来说,尺寸的变小非常困难,片上无源存在Q值低,面积大,成本高,不利于 ...
【技术保护点】
1.一种基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器,其特征在于,包括:/n悬浮有源电感电路(1),基于有源回转器电路原理,利用能提高共模抑制比来降低电路的干扰噪声的2个差分放大器DF1和DF2,构成具有悬浮式电感效应的有源射频小信号输入匹配网络;/n第七晶体管Q7,用于将悬浮有源电感电路(1)的输出信号分成两路同相和电路固有噪声反相的前馈混合信号;/n共源共栅级联放大电路(2),用于将自第七晶体管Q7的前馈混合信号中的同相输入信号放大并将反相噪声互相抵消,从而进一步降低干扰噪声,并提高输入输出的隔离度;/n第一单端电压可控有源电感电路(3),作为共源共栅级联放大电路(2)的有 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器,其特征在于,包括:
悬浮有源电感电路(1),基于有源回转器电路原理,利用能提高共模抑制比来降低电路的干扰噪声的2个差分放大器DF1和DF2,构成具有悬浮式电感效应的有源射频小信号输入匹配网络;
第七晶体管Q7,用于将悬浮有源电感电路(1)的输出信号分成两路同相和电路固有噪声反相的前馈混合信号;
共源共栅级联放大电路(2),用于将自第七晶体管Q7的前馈混合信号中的同相输入信号放大并将反相噪声互相抵消,从而进一步降低干扰噪声,并提高输入输出的隔离度;
第一单端电压可控有源电感电路(3),作为共源共栅级联放大电路(2)的有源电感性负载;
第二单端电压可控有源电感电路(4),作为共源共栅级联放大电路(2)的有电感性的反馈网络,用于抑制高频谐波干扰和互调分量。
2.根据权利要求1所述的基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器,其特征在于,所述悬浮有源电感电路(1)具体包括:
由第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一电阻R1,第二电阻R2和第五晶体管R5构成的第一差分放大器DF1,由第三晶体管Q3、第四晶体管Q4、第三电阻R3、第四电阻R4和第六晶体管Q6构成的第二差分放大器DF2;
在第一差分放大器DF1中,所述第一晶体管Q1的漏极端通过第一电阻R1与第一电压端Vc连接,所述第二晶体管Q2的漏极端通过第二电阻R2与所述第一电压端Vc连接,所述第五晶体管Q5的漏极端与所述第一晶体管Q1的源极端且与所述第二晶体管Q2的源极端连接,所述第五晶体管Q5的源极端接地,所述第五晶体管Q5的栅极端与第一偏置电压端Vb1连接,第一晶体管Q1的栅极端与信号输入端Input连接;
在第二差分放大器DF2中,所述第三晶体管Q3的漏极端通过第三电阻R3与所述第一电压端Vc连接,所述第四晶体管Q4的漏极端通过第四电阻R4与所述第一电压端Vc连接,所述第六晶体管Q6的漏极端与所述第三晶体管Q3的源极端且与所述第四晶体管Q4的源极端连接,所述第六晶体管Q6的源极端接地,所述第六晶体管Q6的栅极端与第二偏置电压端Vb2连接,第三晶体管Q3的栅极端与所述第二晶体管Q2的漏极端连接,所述第三晶体管Q3的漏极端还与所述第二晶体管Q2的栅极端连接,所述第四晶体管Q4的漏极端还与所述第一晶体管Q1的栅极端连接,所述第四经晶体管Q4的栅极端与所述第一晶体管Q1的漏极端连接。
3.根据权利要求2所述的基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器,其特征在于,第七晶体管Q7的栅极端与第七偏置电压端Vb_Q7连接,形成共栅极放大电路,所述第七晶体管Q7的漏极端通过第五电阻R5与第一电压端Vc连接,所述第七晶体管Q7的源极端与所述第三晶体管Q3的漏极端连接,所述第七晶体管的漏极端和源极端还分别与共源共栅级联放大电路(2)的两个输入端连接。
4.根据权利要求3所述的基于具有噪声消除的有源电感的低噪声放大器,其特征在于,所述共源共栅级联放大电路(2)包括第九晶体管Q9、第十晶体管Q10和第八晶体管Q8,所述第九晶体管Q9和第十晶体管Q10的漏极端均与第八晶体管Q8的源极端连接,所述第九晶体管Q9和第十晶体管Q10...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢利敏,
申请(专利权)人:深圳市时代速信科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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