一种射频低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射频低噪声放大器，包括外壳体，外壳体一侧安装射频信号输入端，外壳体另一侧安装射频信号输出端，外壳体内腔安装有干扰信号过滤模块、电源模块、信号优化模块，射频信号输出端通过干扰信号过滤模块连接信号优化模块，信号优化模块连接射频信号输出端，电源模块分别电性连接干扰信号过滤模块和信号优化模块，本实用新型专利技术结构设计新颖，能够实现对射频信号的快速传输，而且抗干扰能力强，提高射频信号输出质量。

【技术实现步骤摘要】
一种射频低噪声放大器
本技术涉及放大器
，具体为一种射频低噪声放大器。
技术介绍
低噪声放大器为有源工作设备，为保证其实现放大功能，安装完成后需要供给其合适的工作电源，目前的低噪声放大器抗干扰性能差，因此，有必要进行改进。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种射频低噪声放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种射频低噪声放大器，包括外壳体，所述外壳体一侧安装射频信号输入端，所述外壳体另一侧安装射频信号输出端，所述外壳体内腔安装有干扰信号过滤模块、电源模块、信号优化模块，所述射频信号输入端通过干扰信号过滤模块连接信号优化模块，所述信号优化模块连接射频信号输出端，所述电源模块分别电性连接干扰信号过滤模块和信号优化模块。优选的，所述信号优化模块包括运算放大器A和运算放大器B，所述运算放大器A正极输入端分别连接电阻D一端和电阻E一端，负极输入端分别连接电阻F一端和电阻G一端，所述运算放大器A输出端分别连接电阻G另一端、电阻H一端和电阻O一端，所述运算放大器B正极输入端通过电阻I接地，负极输入端分别连接电容B一端和电阻J一端，电容B另一端连接电阻H另一端，所述运算放大器B输出端分别连接电阻J另一端和电阻K一端，所述电阻K另一端连接电阻L一端，电阻L另一端连接三极管B基极，所述三极管B发射极通过电阻N接地，集电极连接电阻M一端，电阻M另一端连接电感B一端，所述电阻O另一端连接三极管A基极，所述三极管A发射极通过电阻C接地，集电极连接电阻B一端，电阻B另一端连接电感A一端。优选的，所述干扰信号过滤模块包括降压芯片、电容C、电容D、电容E和电容F，所述降压芯片Vin端分别连接电容C一端和电容D一端，Vout端分别连接电容E和电容F一端，GND端接地，所述电容C、电容D、电容E和电容F另一端均接地。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构设计新颖，能够实现对射频信号的快速传输，而且抗干扰能力强，提高射频信号输出质量；其中，本技术采用的信号优化模块能够增强射频信号，能够对电流波动进行及时分流缓冲，从而达到了降低连接在输出端上的两个运算放大器之间的信号电流的波动强度的目的，提高了抗干扰性能；此外，本技术采用的干扰信号过滤模块能够滤除高频信号，进一步提高信号输出质量。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术信号优化模块电路图；图3为本技术干扰信号过滤模块电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：一种射频低噪声放大器，包括外壳体1，所述外壳体1一侧安装射频信号输入端2，所述外壳体1另一侧安装射频信号输出端3，所述外壳体1内腔安装有干扰信号过滤模块4、电源模块5、信号优化模块6，所述射频信号输入端2通过干扰信号过滤模块4连接信号优化模块6，所述信号优化模块6连接射频信号输出端3，所述电源模块5分别电性连接干扰信号过滤模块4和信号优化模块6。本技术中，信号优化模块6包括运算放大器A1d和运算放大器B2d，所述运算放大器A1d正极输入端分别连接电阻D4a一端和电阻E5a一端，负极输入端分别连接电阻F6a一端和电阻G7a一端，所述运算放大器A1d输出端分别连接电阻G7a另一端、电阻H8a一端和电阻O15a一端，所述运算放大器B2d正极输入端通过电阻I9a接地，负极输入端分别连接电容B2b一端和电阻J10a一端，电容B2b另一端连接电阻H8a另一端，所述运算放大器B2d输出端分别连接电阻J10a另一端和电阻K11a一端，所述电阻K11a另一端连接电阻L12a一端，电阻L12a另一端连接三极管B2e基极，所述三极管B2e发射极通过电阻N14a接地，集电极连接电阻M13a一端，电阻M13a另一端连接电感B2c一端，所述电阻O15a另一端连接三极管A1e基极，所述三极管A1e发射极通过电阻C3a接地，集电极连接电阻B2a一端，电阻B2a另一端连接电感A1c一端。本技术中，干扰信号过滤模块4包括降压芯片7、电容C3b、电容D4b、电容E5b和电容F6b，所述降压芯片7Vin端分别连接电容C3b一端和电容D4b一端，Vout端分别连接电容E5b和电容F6b一端，GND端接地，所述电容C3b、电容D4b、电容E5b和电容F6b另一端均接地。综上所述，本技术结构设计新颖，能够实现对射频信号的快速传输，而且抗干扰能力强，提高射频信号输出质量；其中，本技术采用的信号优化模块能够增强射频信号，能够对电流波动进行及时分流缓冲，从而达到了降低连接在输出端上的两个运算放大器之间的信号电流的波动强度的目的，提高了抗干扰性能；此外，本技术采用的干扰信号过滤模块能够滤除高频信号，进一步提高信号输出质量。本技术未详述之处，均为本领域技术人员的公知技术。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频低噪声放大器，包括外壳体(1)，其特征在于：所述外壳体(1)一侧安装射频信号输入端(2)，所述外壳体(1)另一侧安装射频信号输出端(3)，所述外壳体(1)内腔安装有干扰信号过滤模块(4)、电源模块(5)、信号优化模块(6)，所述射频信号输入端(2)通过干扰信号过滤模块(4)连接信号优化模块(6)，所述信号优化模块(6)连接射频信号输出端(3)，所述电源模块(5)分别电性连接干扰信号过滤模块(4)和信号优化模块(6)。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频低噪声放大器，包括外壳体(1)，其特征在于：所述外壳体(1)一侧安装射频信号输入端(2)，所述外壳体(1)另一侧安装射频信号输出端(3)，所述外壳体(1)内腔安装有干扰信号过滤模块(4)、电源模块(5)、信号优化模块(6)，所述射频信号输入端(2)通过干扰信号过滤模块(4)连接信号优化模块(6)，所述信号优化模块(6)连接射频信号输出端(3)，所述电源模块(5)分别电性连接干扰信号过滤模块(4)和信号优化模块(6)。


2.根据权利要求1所述的一种射频低噪声放大器，其特征在于：所述信号优化模块包括运算放大器A(1d)和运算放大器B(2d)，所述运算放大器A(1d)正极输入端分别连接电阻D(4a)一端和电阻E(5a)一端，负极输入端分别连接电阻F(6a)一端和电阻G(7a)一端，所述运算放大器A(1d)输出端分别连接电阻G(7a)另一端、电阻H(8a)一端和电阻O(15a)一端，所述运算放大器B(2d)正极输入端通过电阻I(9a)接地，负极输入端分别连接电容B(2b)一端和电阻J(10a)一端，电容B...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤勇，秦勇飞，
申请(专利权)人：南通联航通讯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32