【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及到射频集成电路，尤其涉及一种基于噪声相消结构的cmos超宽带低噪声放大器。
技术介绍
1、相控阵雷达凭借其更快的响应速率、更高的分辨精度以及更好的抗干扰能力，解决了传统雷达的很多固有问题。由于有源相控阵在效率、功率和性能方面的优势，因此成为业内的研究热点。与其他半导体工艺相比，硅基cmos工艺可以实现更低的制造成本和更高的集成度，因此半导体行业对cmos在射频集成电路中的应用进行了持续深入的研究，这为实现有源相控阵射频前端的高集成度和缩小尺寸提供了新的机遇。
2、社会信息化进程的快速推进，无线通信得益于处于复杂通信环境的高可靠性以及无需对有线通信网络维护和升级的低成本优势而飞速发展，给人类的生活带来了巨大便利。随着无线通信的进一步发展，人们对数据通信速度以及数据通信容量提出了更高的要求，由此，超宽带无线通信得到广泛应用。
3、超宽带无线通信满足通信速度和通信容量的需求，要求收发机系统在很宽的高频带范围内始终能够实现良好的各项性能指标，这对射频前端电路的设计带来挑战。低噪声放大器是接收机链路的第一级有...
【技术保护点】
1.一种基于噪声相消结构的CMOS超宽带低噪声放大器，其特征在于：包括输入阻抗匹配电路、消噪共栅共源放大电路、共源共栅放大电路和输出匹配电路，所述输入阻抗匹配电路包括射频信号输入端和第一节点N1，用于输入射频信号，输出匹配电路包括第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3，第一晶体管M1分别与第二节点N2和第三节点N3电连接，第二晶体管M2分别与第二节点N2和第三节点N3电连接，第三晶体管M3分别与第二节点N2和第三节点N3电连接，消噪共栅共源放大电路包括电连接的第四晶体管M4、第三电感L3、第一变压器初级绕组T1-1、第五晶体管M5、第二变压器初级绕组T1-2、...
【技术特征摘要】
1.一种基于噪声相消结构的cmos超宽带低噪声放大器，其特征在于：包括输入阻抗匹配电路、消噪共栅共源放大电路、共源共栅放大电路和输出匹配电路，所述输入阻抗匹配电路包括射频信号输入端和第一节点n1，用于输入射频信号，输出匹配电路包括第一晶体管m1、第二晶体管m2和第三晶体管m3，第一晶体管m1分别与第二节点n2和第三节点n3电连接，第二晶体管m2分别与第二节点n2和第三节点n3电连接，第三晶体管m3分别与第二节点n2和第三节点n3电连接，消噪共栅共源放大电路包括电连接的第四晶体管m4、第三电感l3、第一变压器初级绕组t1-1、第五晶体管m5、第二变压器初级绕组t1-2、第四电感l4及第一变压器次级绕组和第一变压器第三绕组t1-3构成的第一级间匹配模块，所述共源共栅放大电路与第一级间匹配模块电连接，共源共栅放大电路采用双支路匹配网络拓扑结构，包括第六晶体管m6、第七晶体管m7、第二电阻r2、第三电阻r3和第六电感l6，所述第二电阻r2的第一端与第七节点n7电连接，第二电阻r2的第二端连接第二固定电压信号端vdd2，所述第三电阻r3的第一端与第十节点n10电连接，第三电阻r3的第二端与第六节点n6电连接，第六电感l6的第一端连接第六晶体管m6的栅极，第六电感l6的第二端与第七节点n7电连接，第六晶体管m6的漏极连接射频信号输出端，用于输出处理噪声后的射频信号。
2.根据权利要求1所述的一种基于噪声相消结构的cmos超宽带低噪声放大器，其特征在于：所述输入阻抗匹配电路还包括第一电容c1和第一电感l1，第一电感l1的第一端与第一节点n1电连接，第一电感l1的第二端与第一电容c1的第一端电连接，第一电容c1的第二端与射频信号输入端电连接。
3.根据权利要求1所述的一种基于噪声相消结构的cmos超宽带低噪声放大器，其特征在于：所述第一晶体管m1的源端与第二节点n2电连接，第一晶体管m1的漏端与第三节点n3电连接，第一晶体管m1的栅端连接有第一固定电压信号端vdd1。
4.根据权利要求1所述的一种基于噪声相消结构的cmos超宽带低噪声放大器，其特征在于：所述第二晶体管m2的栅端与第二节点n2电连接，第二晶体管m2的源端连接有第二固定电压信号端vdd2，第二晶体管m2的漏端与第三节点电n3电连接。
5.根据权利要求1所述的一种基于噪声相消结构的cmos超宽带低噪声放大器，其特征在于：所述第三晶体管m3的栅端与第二节点n2电连接，第三晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：章圣长，马明凯，余正冬，黄枭祺，何炫璋，全友，
申请(专利权)人：成都瑞迪威科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。