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一种基于噪声相消结构的CMOS超宽带低噪声放大器制造技术
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下载一种基于噪声相消结构的CMOS超宽带低噪声放大器的技术资料
文档序号:43575312
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本发明公开了一种基于噪声相消结构的CMOS超宽带低噪声放大器,属于射频集成电路技术领域,包括输入阻抗匹配电路、消噪共栅共源放大电路、共源共栅放大电路和输出匹配电路,所述输入阻抗匹配电路包括射频信号输入端和第一节点N1,用于输入射频信号,输出...
该专利属于成都瑞迪威科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过成都瑞迪威科技有限公司授权不得商用。
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