一种嵌入式单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种嵌入式单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路，包括被驱动SiC MOS管、驱动芯片、电阻Rg、二极管D、电阻Rc、电容Cz、二极管Dz、MOS管M和电阻Rm。该驱动电路采用准4电平驱动，通过在关断开始时采用负压，避免了桥臂另一SiC MOSFET开通导致的误导通情况；通过在关断完成后采用零电压，避免了负压尖峰引起的SiC MOSFET失效问题。此外，能够在开通关断时实现更高的开关速度。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式单电源供电的多电平SiCMOSFET驱动电路
本专利技术属于电子驱动
，具体涉及一种多电平SiCMOSFET驱动电路。
技术介绍
相对于SiMOSFET，SiCMOSFET可以实现非常高的开关速度。但是，SiCMOSFET的驱动电压阈值较低，同时门极之间耐受负压能力较差。在常用的桥臂电路结构中，一个开关器件的快速开关动作会在另一个开关器件的门极电压上串扰出非常明显的电压尖峰。其中，正压尖峰很有可能导致误开通，负压尖峰很有可能导致SiCMOSFET失效。目前，常见的SiCMOSFET驱动电路大多采用负压关断来抑制误开通，然而负压关断会增大负压尖峰导致器件失效的机率，有必要对串扰进行抑制。然而，现有技术中具有串扰抑制功能的驱动电路大多较为复杂并且需要多路电源供电，迫切需要一种简单的电路来抑制串扰以发挥SiCMOSFET的潜在性能。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种嵌入式单电源供电的多电平SiCMOSFET驱动电路，该驱动电路采用准4电平驱动。通过在关断开始时采用负压，避免了桥臂另一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，包括被驱动SiCMOS管、驱动芯片、电阻Rg、二极管D、电阻Rc、电容Cz、二极管Dz、MOS管M和电阻Rm；/n所述电阻Rg的一端与所述驱动芯片的OUT端连接，电阻Rg的另一端与所述被驱动SiCMOS管的Gate极连接；/n所述二极管D的正极与驱动芯片的OUT端连接，二极管D的负极与所述电阻Rc一端连接，电阻Rc的另一端与被驱动SiC MOS管的Source极连接；/n所述电容Cz的一端与驱动芯片的GND端连接，电容Cz的另一端与被驱动SiC MOS管的Source极连接；/n所述二极管Dz的正极与驱动芯片的GND端连...

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式单电源供电的多电平SiCMOSFET驱动电路，其特征在于，包括被驱动SiCMOS管、驱动芯片、电阻Rg、二极管D、电阻Rc、电容Cz、二极管Dz、MOS管M和电阻Rm；
所述电阻Rg的一端与所述驱动芯片的OUT端连接，电阻Rg的另一端与所述被驱动SiCMOS管的Gate极连接；
所述二极管D的正极与驱动芯片的OUT端连接，二极管D的负极与所述电阻Rc一端连接，电阻Rc的另一端与被驱动SiCMOS管的Source极连接；
所述电容Cz的一端与驱动芯片的GND端连接，电容Cz的另一端与被驱动SiCMOS管的Source极连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旋律，吴小华，赵鑫，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61