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本发明公开了一种嵌入式单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路，包括被驱动SiC MOS管、驱动芯片、电阻Rg、二极管D、电阻Rc、电容Cz、二极管Dz、MOS管M和电阻Rm。该驱动电路采用准4电平驱动，通过在关断开始时采用负压，避免...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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