一种单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路，包括被驱动SiC MOS管、驱动芯片、电阻Rg、电阻Rc、MOS管M和二极管D。该驱动电路采用4电平驱动，通过在关断开始时采用负压，避免桥臂另一SiC MOSFET开通过程引起的误导通问题；通过在关断完成后采用零电压，避免负压尖峰引起的SiC MOSFET失效问题。此外，能够在开通关断时实现更高的开关速度。

【技术实现步骤摘要】
一种单电源供电的多电平SiCMOSFET驱动电路
本专利技术属于电子驱动
，具体涉及一种多电平SiCMOSFET驱动电路。
技术介绍
相对于SiMOSFET，SiCMOSFET具有非常高的开关速度。但是，SiCMOSFET的驱动电压阈值较低，并且门极耐受负压能力较差。在常用的桥臂电路结构中，快速开关动作会在另一个开关器件的门极电压上串扰出非常明显的电压尖峰。其中，正压尖峰很有可能导致误开通，负压尖峰很有可能导致SiCMOSFET失效。目前，常见的SiCMOSFET驱动电路大多采用负压关断抑制误开通。然而，在这种驱动方式下，负压尖峰变得更加容易导致器件失效，有必要进行串扰抑制。现有技术中具有串扰抑制功能的驱动电路大多较为复杂并且需要多路电源供电，迫切需要一种简单的方法来抑制串扰，从而发挥SiCMOSFET的潜在性能。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供一种单电源供电的多电平SiCMOSFET驱动电路，该驱动电路采用4电平驱动。通过在关断开始时采用负压，避免桥臂另一SiCMOSFET开通过程引起的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单电源供电的多电平SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，包括被驱动SiC MOS管、驱动芯片、电阻Rg、电阻Rc、MOS管M和二极管D；/n所述电阻Rg的一端与所述驱动芯片的输出端连接，电阻Rg的另一端与所述被驱动SiCMOS管的Gate极连接；/n所述电阻Rc的一端与驱动芯片供电端连接，电阻Rc的另一端与被驱动SiC MOS管的Source极连接；/n所述MOS管M的Source极与驱动芯片接地端连接，MOS管M的Drain极与被驱动SiC MOS管的Source极连接；/n所述二极管D的正极与驱动芯片接地端连接，二极管D的负极与被驱动SiC MOS管的Source极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种单电源供电的多电平SiCMOSFET驱动电路，其特征在于，包括被驱动SiCMOS管、驱动芯片、电阻Rg、电阻Rc、MOS管M和二极管D；
所述电阻Rg的一端与所述驱动芯片的输出端连接，电阻Rg的另一端与所述被驱动SiCMOS管的Gate极连接；
所述电阻Rc的一端与驱动芯片供电端连接，电阻Rc的另一端与被驱动SiCMOS管的Source极连接；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旋律，吴盼盼，贾荣友，赵鑫，吴小华，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61