【技术实现步骤摘要】
用于加料装置的下料导管及其加工方法、加料装置
本专利技术涉及物料输送
，尤其是涉及一种用于加料装置的下料导管及其加工方法、加料装置。
技术介绍
目前生长半导体单晶硅的生长工艺有CZ和CCZ工艺，采用CCZ工艺，在拉晶制备过程中，通过炉外加料器装置，将硅料以连续地加入到坩埚中，从而保证长时间连续拉晶的进行，但在供给原料过程中，若硅料运行速度过块，则落入到坩埚内熔体中，会产生较大冲击，导致熔体液面振荡，影响单晶生长。若硅料运行速度过慢，硅料不及时，则导致供给管与液面的硅料堵塞。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种用于加料装置的下料导管，所述下料导管可以实现物料顺畅添加，有利于节省加料时间，同时便于保证生产正常运行。本专利技术还提出一种具有上述下料导管的加料装置。根据本专利技术第一方面的用于加料装置的下料导管，所述下料导管内限定出下料通道且包括：管体，所述管体内限定出所述下料通道；多个导料件，多个所述导料件均设在所述管体内，且多个所述...
【技术保护点】
1.一种用于加料装置的下料导管，其特征在于，所述下料导管内限定出下料通道且包括：/n管体，所述管体内限定出所述下料通道；/n多个导料件，多个所述导料件均设在所述管体内，且多个所述导料件沿所述下料通道限定的下料路径交错设置。/n
【技术特征摘要】
20200601 CN 20201048491791.一种用于加料装置的下料导管，其特征在于，所述下料导管内限定出下料通道且包括：
管体，所述管体内限定出所述下料通道；
多个导料件，多个所述导料件均设在所述管体内，且多个所述导料件沿所述下料通道限定的下料路径交错设置。
2.根据权利要求1所述的用于加料装置的下料导管，其特征在于，所述管体包括：
多个连接管段，多个所述连接管段沿所述下料导管的轴向依次排布，相邻两个所述连接管段相连，至少两个所述连接管段内设有所述导料件。
3.根据权利要求2所述的用于加料装置的下料导管，其特征在于，相邻两个所述连接管段之间螺纹连接。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的用于加料装置的下料导管，其特征在于，所述下料通道的上端形成为进料口，所述下料通道的下端形成为出料口，至少一个所述导料件形成为楔形件，所述导料件具有第一导料面，所述第一导料面均与基准面成锐角地向下倾斜以使落在其上的物料向下流动，其中所述基准面与所述下料通道的中心轴线垂直。
5.根据权利要求4所述的用于加料装置的下料导管，其特征在于，所述楔形件在所述基准面上的正投影为弓形，
每个所述导料件分别形成为所述楔形件；或者，
多个所述导料件包括第一导料件和第二导料件，所述第一导料件位于所述第二导料件的上方，最下方的所述导料件为所述第二导料件，所述第一导料件形成为楔形件，所述第二导料件还具有第二导料面，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄末，陈翼，刘奇，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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