【技术实现步骤摘要】
一种Si衬底InGaN可见光探测器
本技术涉及可见光探测器领域，特别涉及一种Si衬底InGaN可见光探测器。
技术介绍
III族氮化物半导体材料(主要包括GaN，InN，AlN以及它们形成的三元或多元合金材料)拥有优良的光学、电学、热学、化学、机械性能，因此，Ⅲ族氮化物光电器件和功率器件得到了国内外科研人员的广泛关注和重点研究。随着新型固态照明的快速发展，可见光通信技术应运而生。可见光通信能够在提供照明的同时，实现高速的数据传输，并且可见光通信具有频谱宽、无电磁干扰等优点，可以实现近距离时高速安全稳定的通信体验。目前，探测可见光波段光信号最为常用的探测器是光电倍增管和Si基探测器。虽然光电倍增管具有暗电流低、响应速度快、稳定性高、电流增益高等优点，但是价格昂贵、容易破损、能耗较大、体积庞大等缺点大大限制了其实际应用。同样，Si基光电二极管也有自身的局限性，它只有在加装了价格昂贵的滤光系统后才能实现对可见光波段的探测，这大大增加了使用成本。此外Si材料的抗辐射能力弱，这又大大限制了Si基探测器在极端条件下的应用。
【技术保护点】
1.一种Si 衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，InGaN功能层采用InGaN复合材料。/n
【技术特征摘要】
1.一种Si衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，包括从下到上依次排布的Si衬底、缓冲层、InGaN功能层和Ni/Au金属层电极，所述缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层，InGaN功能层采用InGaN复合材料。
2.根据权利要求1所述的Si衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，缓冲层中AlN层的厚度为200~300nm。
3.根据权利要求1所述的Si衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，缓冲层中AlGaN层的厚度为500~600nm。
4.根据权利要求1所述的Si衬底InGaN可见光探测器，其特征在于，缓冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文樑，李国强，孔德麒，杨昱辉，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东;44
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