肖特基二极管封装结构及其制备方法技术

本申请涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。一种肖特基二极管封装结构，包括：第一结构，该第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极，并且包括：第一金属层，位于第一金属层上的重掺杂层，位于重掺杂层上的轻掺杂层，位于轻掺杂层上的第二金属层以及包围第二金属层的钝化层，以及位于重掺杂层上的第三金属层；以及第二结构，该第二结构提供肖特基二极管封装结构的第二电极，并且第二结构堆叠在第一结构上。

【技术实现步骤摘要】
肖特基二极管封装结构及其制备方法
本专利技术涉及二极管
，尤其涉及肖特基二极管封装结构及其制备方法。
技术介绍
太赫兹波是指频率在100GHz-l0THz范围内的电磁波，与毫米波的高端、亚毫米波及远红外有所交叠，处于宏观电子学向微观光子学的过度领域。太赫兹频率低端范围内，通常是将毫米波通过非线性半导体器件倍频至太赫兹频段来获得固态源。利用肖特基二极管器件实现高效倍频有许多优点，同时肖特基二极管器件可稳定工作于30GHz~3000GHz整个毫米波及亚毫米波频段，因此肖特基二极管高效倍频技术非常适于高性能的毫米波、亚毫米波、太赫兹波系统，是一种极具研究、应用价值的太赫兹频率源技术。平面肖特基二极管由于具有较小的结电容和串联电阻以及较高的电子漂移速度，已经在太赫兹频段上得到了广泛的应用，是太赫兹
中核心的固态电子器件。
技术实现思路
根据本公开明的一方面，提供一种肖特基二极管封装结构。该肖特基二极管封装结构包括：第一结构，第一结构提供肖特基二极管封装结构的第一电极，并且包括：第一金属层，位于第一金属层上的重掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种肖特基二极管封装结构，包括：/n第一结构，所述第一结构提供所述肖特基二极管封装结构的第一电极，并且包括：/n第一金属层；/n位于所述第一金属层上的重掺杂层；/n位于所述重掺杂层上的轻掺杂层；/n位于所述轻掺杂层上的第二金属层以及包围所述第二金属层的钝化层，以及/n位于所述重掺杂层上的第三金属层；/n第二结构，所述第二结构提供所述肖特基二极管封装结构的第二电极，并且所述第二结构堆叠在所述第一结构上。/n

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管封装结构，包括：
第一结构，所述第一结构提供所述肖特基二极管封装结构的第一电极，并且包括：
第一金属层；
位于所述第一金属层上的重掺杂层；
位于所述重掺杂层上的轻掺杂层；
位于所述轻掺杂层上的第二金属层以及包围所述第二金属层的钝化层，以及
位于所述重掺杂层上的第三金属层；
第二结构，所述第二结构提供所述肖特基二极管封装结构的第二电极，并且所述第二结构堆叠在所述第一结构上。


2.根据权利要求1所述肖特基二极管封装结构，其中，所述第二结构具有与所述第一结构相同的构成，并且
其中，所述第二结构与所述第一结构倒置封装，使得所述第二结构的第二金属层与所述第一结构的第三金属层相接，并且所述第二结构的第三金属层与所述第一结构的第二金属层相接。


3.根据权利要求2所述肖特基二极管封装结构，还包括至少一个第三结构，其中所述第三结构具有与所述第一结构相同的构成，并且
所述至少一个第三结构串接于所述第一结构和所述第二结构之间，使得所述至少一个第三结构中的底部第三结构的第一金属层与所述第一结构的第二金属层和第三金属层相接，所述至少一个第三结构中的顶部第三结构的第二金属层与所述第二结构的第三金属层相接并且所述底部第三结构的第三金属层与所述第二结构的第二金属层相接。


4.根据权利要求2所述肖特基二极管封装结构，还包括至少一个第三结构，其中所述第三结构具有与所述第一结构相同的构成，并且
所述至少一个第三结构串接于所述第一结构和所述第二结构之间，使得所述至少一个第三结构中的顶部第三结构的第一金属层与所述第二结构的第二金属层和第三金属层相接，所述至少一个第三结构中的底部第三结构的第二金属层与所述第一结构的第三金属层相接并且所述底部第三结构的第三金属层与所述第一结构的第二金属层相接。


5.根据权利要求1所述肖特基二极管封装结构，其中，所述第二结构包括：
第一金属层；
位于所述第一金属层上的重掺杂层；
位于所述重掺杂层上的轻掺杂层；
位于所述轻掺杂层上的第二金属层以及包围所述第二金属层的钝化层；
位于所述重掺杂层上的第三金属层；以及
位于所述第二金属层上的附加金属层；并且
其...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵自然，胡海帆，马旭明，肖雄，
申请(专利权)人：同方威视技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11