光电探测器、其制备方法及光电探测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光电探测器、其制备方法及光电探测装置，本发明专利技术通过在衬底基板上直接形成感光半导体层，以及在形成有感光半导体层的衬底基板上形成电极层，即本发明专利技术采用在衬底基板上先形成感光器件，再形成开关晶体管，这样可以提高感光器件中各膜层的均匀性，从而提高光电探测器的整体均匀性，进而提高光电探测器的性能；另外，现有技术中是采用先形成开关晶体管再形成感光器件，这样感光半导体层对金属氧化物TFT的电学特性产生影响；而本发明专利技术在衬底基板上先形成感光半导体层，这样可以降低感光半导体层对金属氧化物TFT电学特性的影响；另外，采用本发明专利技术的结构还可以减少Mask工艺。

Photoelectric detector, preparation method and photoelectric detection device thereof

【技术实现步骤摘要】
光电探测器、其制备方法及光电探测装置
本专利技术涉及光电探测
，特别涉及一种光电探测器、其制备方法及光电探测装置。
技术介绍
金属-半导体-金属(Metal-Semiconductor-Metal，MSM)型光电探测器利用金属与半导体界面间的肖特基势垒形成类似PN结的载流子耗尽区。半导体内由入射光产生的光生载流子在外加电场的作用下反向肖特基结耗尽区内发生漂移运动，迅速被光电探测器两端的电极收集。由于MSM结构光探测器具有结构简单、寄生电容小、响应速度快、制作工艺成本低等特点被广泛应用于各类光子和粒子探测器中。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种光电探测器、其制备方法及光电探测装置，用以提高光电探测器的整体均匀性，同时可以降低光电探测器的感光半导体层对金属氧化物TFT电学特性的影响，以及减少Mask工艺。本专利技术实施例提供了一种光电探测器，包括：衬底基板，直接位于所述衬底基板上的感光半导体层，位于所述感光半导体层背离所述衬底基板一侧的电极层。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述光电探测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：衬底基板，直接位于所述衬底基板上的感光半导体层，位于所述感光半导体层背离所述衬底基板一侧的电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括：衬底基板，直接位于所述衬底基板上的感光半导体层，位于所述感光半导体层背离所述衬底基板一侧的电极层。


2.如权利要求1所述的光电探测器，其特征在于，还包括：位于所述电极层背离所述衬底基板一侧的第一钝化层，以及位于所述第一钝化层背离所述衬底基板一侧的开关晶体管；所述开关晶体管的沟道层的材料为金属氧化物，且所述开关晶体管的漏极与所述第一电极电连接。


3.如权利要求2所述的光电探测器，其特征在于，还包括：位于所述电极层和所述第一钝化层之间的第二钝化层，以及位于所述第一钝化层和所述第二钝化层之间的遮光层；所述遮光层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述开关晶体管的沟道层在所述衬底基板上的正投影。


4.一种光电探测装置，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的光电探测器。


5.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上直接形成感光半导体层；
在形成有所述感光半导体层的衬底基板上形成电极层；其中，所述电极层包括相互绝缘且间隔设置的第一电极和第二电极。


6.如权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈江博，李延钊，梁魁，李达，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11