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本发明公开了一种光电探测器、其制备方法及光电探测装置，本发明通过在衬底基板上直接形成感光半导体层，以及在形成有感光半导体层的衬底基板上形成电极层，即本发明采用在衬底基板上先形成感光器件，再形成开关晶体管，这样可以提高感光器件中各膜层的均匀性...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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