蒸镀装置及有机电子器件的生产方法制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于提供以感应加热方式进行有机材料制膜时噪声得以控制的实用的蒸镀装置等。一种将有机材料制膜于基板的蒸镀装置，具有：至少一部分是由导体构成的用于收容所述有机材料的容器，配置在所述容器周围的线圈，与所述线圈连接的功率半导体，与所述功率半导体连接的直流电源，所述功率半导体做为构成逆变器部的一部分的晶体管发挥功能，所述逆变器部是将直流变换为交流的。通过使用功率半导体和直流电源，不需要使用大型的交流电源。因此，容易使蒸镀装置做到小型化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蒸镀装置及有机电子器件的生产方法
本专利技术涉及蒸镀装置及有机电子器件的生产方法，特别是涉及将有机材料制膜于基板的蒸镀装置等。
技术介绍
本申请的专利技术人等曾提出过将有机材料制膜于基板的蒸镀装置，是进行感应加热(inductionheating)的蒸镀装置(专利文献1)。感应加热方式与电阻加热(resistanceheating)方式相比，在热响应性(thermalresponsiveness)上更为优异。因此，可以迅速进行升温及冷却，进行精密的温度控制。一般来讲，有机材料的蒸镀装置采用电阻加热方式。图16是电阻加热方式的蒸镀装置的示意图。在图16中，电阻加热方式的蒸镀装置101，至少具备真空腔室111、电源115、电缆116。在图16中、真空腔室111下的空间120中聚集有各种电缆和部件，可见没有进一步收容大型部件的空间。在先技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2002/014575号
技术实现思路
(专利技术需要解决的课题)但是，在感应加热中使用的电源通常情况下大小为纵向20cm～40cm、横向45cm、深度60cm左右。并且，具有较大重量。因此，难于将在感应加热中使用的大型电源收容在真空腔室的正下方。因此，感应加热中所使用的大型电源与蒸镀室(evaporationchamber)是分开设置的。做为其后果，连接至作为放入有机材料的容器的多个坩埚的多个电源电缆之间产生的寄生电容(parasiticcapacity)变大。因此，共振频率发生偏移，容器3的感应功率下降。并且因电缆变长，有可能容易受外部噪声干扰而使加热的控制性下降。此外，噪声可能使感应器系统受到不良影响。因此，难于进行精密的加热控制。在有机材料的蒸镀制膜中，需要进行几个纳米级别的膜厚控制、多种材料(需要进行1％以下的重量比控制)的混合处理，因此提供以感应加热方式进行有机材料制膜的实用的蒸镀装置是困难的。在此，本专利技术的目的在于提供一种实用的蒸镀装置等，其在将有机材料制膜的基础上，采用具有优异的热响应性的感应加热方式并使噪声得到控制。(解决课题的方案)本专利技术的第一方面，是将有机材料制膜于基板的蒸镀装置，具有：至少一部分是由导体构成的用于收容所述有机材料的容器，配置在所述容器周围的线圈，与所述线圈连接的功率半导体，与所述功率半导体连接的直流电源；所述功率半导体做为构成逆变器部的一部分的晶体管发挥功能，所述逆变器部是将直流变换为交流的。本专利技术的第二方面，是第一方面所述的蒸镀装置，进一步具有频率控制部，该频率控制部对所述逆变器部输出的交流的频率进行控制。本专利技术的第三方面，是第二方面所述的蒸镀装置，所述频率控制部是小型振荡器元件，与所述小型振荡器元件与所述直流电源之间的距离相比，所述线圈与所述小型振荡器元件之间的距离更短。本专利技术的第四方面，是第三方面所述的蒸镀装置，所述小型振荡器元件为VCO或DDS。本专利技术的第五方面，是第一至第四方面中任一所述的蒸镀装置，具有多个所述功率半导体，多个所述功率半导体，在所述线圈的两端的级的高侧(High-Side)各连接有一个功率半导体，以及，在低侧(Low-Side)各连接有一个功率半导体。更具体而言，所述功率半导体是晶体管，所述逆变器部在：在所述线圈的一侧的极的高侧具有第1晶体管，在所述线圈的所述一侧的极的低侧具有第2晶体管，在所述线圈的另一侧的极的高侧具有第3晶体管，在所述线圈的所述另一侧的极的低侧具有第4晶体管。本专利技术的第六方面，是第五方面所述的蒸镀装置，所述第1晶体管、所述第2晶体管、所述第3晶体管及所述第4晶体管中的至少一个是IGBT、Si功率MOSFET、GaN功率FET或SiC功率MOSFET。本专利技术的第七方面，是第一至第六方面中任一所述的蒸镀装置，进一步具有与所述线圈串联连接的电容器，所述功率半导体做为构成逆变器部的一部分的晶体管发挥功能，所述逆变器部是将直流变换为交流的，所述电容器是金属化薄膜(Metallizedfilm)电容器或大容量功率薄膜(Powerfilm)电容器。本专利技术的第八方面，是第一至第七方面中任一所述的蒸镀装置，具备多个与所述线圈串联连接的电容器，多个所述电容器是相互并联排列的。本专利技术的第九方面，是第一至第八方面中任一所述的蒸镀装置，具备多个所述功率半导体，多个所述功率半导体是并联连接的。本专利技术的第十方面，是第一至第九方面中任一所述的蒸镀装置，具备多个所述逆变器部，多个所述逆变器部是并联配置的。本专利技术的第十一方面，是第一至第十方面中任一所述的蒸镀装置，与所述功率半导体与所述直流电源之间的距离相比，所述线圈与所述功率半导体之间的距离更短。本专利技术的第十二方面，是第一至第十一方面中任一所述的蒸镀装置，进一步具有以将所述容器内包的方式配置的真空腔室，所述线圈配置在所述真空腔室的外部。本专利技术的第十三方面，是使用将有机材料制膜于基板的蒸镀装置的有机电子器件的生产方法，所述蒸镀装置，具有：至少一部分是由导体构成的用于收容所述有机材料的容器，配置在所述容器周围的线圈，与所述线圈连接的功率半导体，与所述功率半导体连接的直流电源，所述功率半导体做为构成逆变器部的一部分的晶体管发挥功能，所述逆变器部是将直流变换为交流的，该方法包括：变换步骤，所述逆变器部将来自所述直流电源的直流变换为交流；加热步骤，通过使电流流过所述线圈而使所述容器被加热。本专利技术的第十四方面，是第十三方面所述的有机电子器件的生产方法，所述蒸镀装置，具有：与所述线圈连接的逆变器部，与所述逆变器部连接的直流电源，进一步具有频率控制部，该频率控制部对所述逆变器部输出的交流的频率进行控制，该方法包括：变换步骤，所述逆变器部将来自所述直流电源的直流变换为交流，频率控制步骤，所述频率控制部对于所述交流的频率进行控制，加热步骤，通过使电流流过所述线圈而使所述容器被加热。本专利技术的第十五方面，是第十四方面所述的有机电子器件的生产方法，所述加热步骤之后，进一步包括第2频率控制步骤，该步骤中所述频率控制部对于所述频率进行控制。本专利技术的第十六方面，是第十三至十五方面中任一所述的有机电子器件的生产方法，所述蒸镀装置，具有与所述线圈连接的逆变器部，与所述逆变器部连接的直流电源，所述逆变器部，在所述线圈的一侧的极的高侧具有第1晶体管，在所述线圈的所述一侧的极的低侧具有第2晶体管，在所述线圈的另一侧的极的高侧具有第3晶体管，在所述线圈的所述另一侧的极的低侧具有第4晶体管；该方法包括：变换步骤，所述逆变器部将来自所述直流电源的直流变换为交流，第1加热步骤，通过使电流从所述线圈的所述一侧的极向所述另一侧的极流过，而使所述容器被加热，第2加热步骤，通过使电流从所述线圈的所述另一侧的极向所述一侧的极流过，而使所述容器被加热。(专利技术的效果)根据本专利技术的各方面，通过使用功率半导体和直流电源，即便大型电源和蒸镀室之间的距离较远，也能够使得寄生电容的影响降低。并且，将交流电流通过的电路缩短，能够降低噪声对于水晶振子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种将有机材料制膜于基板的蒸镀装置，其特征在于，/n具有：至少一部分是由导体构成的用于收容所述有机材料的容器，配置在所述容器周围的线圈，与所述线圈连接的功率半导体，与所述功率半导体连接的直流电源，/n所述功率半导体做为构成逆变器部的一部分的晶体管发挥功能，所述逆变器部是将直流变换为交流的。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180328 JP 2018-063368;20181130 JP 2018-225361;201.一种将有机材料制膜于基板的蒸镀装置，其特征在于，
具有：至少一部分是由导体构成的用于收容所述有机材料的容器，配置在所述容器周围的线圈，与所述线圈连接的功率半导体，与所述功率半导体连接的直流电源，
所述功率半导体做为构成逆变器部的一部分的晶体管发挥功能，所述逆变器部是将直流变换为交流的。


2.权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于，
进一步具有频率控制部，该频率控制部对所述逆变器部输出的交流的频率进行控制。


3.权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述频率控制部是小型振荡器元件，与所述小型振荡器元件与所述直流电源之间的距离相比，所述线圈与所述小型振荡器元件之间的距离更短。


4.权利要求3所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述小型振荡器元件为VCO或DDS。


5.权利要求1至4中任一所述的蒸镀装置，其特征在于:
所述逆变器部，
在所述线圈的一侧的极的高侧具有第1晶体管；
在所述线圈的所述一侧的极的低侧具有第2晶体管；
在所述线圈的另一侧的极的高侧具有第3晶体管；
在所述线圈的所述另一侧的极的低侧具有第4晶体管。


6.权利要求5所述的蒸镀装置，其特征在于，
所述第1晶体管、所述第2晶体管、所述第3晶体管及所述第4晶体管中的至少一个是IGBT、Si功率MOSFET、GaN功率FET或SiC功率MOSFET。


7.权利要求1至6中任一所述的蒸镀装置，其特征在于，
进一步具有与所述线圈串联连接的电容器，
所述功率半导体做为构成逆变器部的一部分的晶体管发挥功能，
所述逆变器部是将直流变换为交流的，
所述电容器是金属化薄膜电容器或大容量功率薄膜电容器。


8.权利要求1至7中任一所述的蒸镀装置，其特征在于，
具备多个与所述线圈串联连接的电容器，多个所述电容器是相互并联排列的。


9.权利要求1至8中任一所述的蒸镀装置，其特征在于，
具备多个所述功率半导体，多个所述功率半导体是并联连接的。


10.权利要求1至9中任一所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林慎一郎，藤本弘，宫崎浩，
申请(专利权)人：公益财团法人福冈县产业·科学技术振兴财团，
类型：发明
国别省市：日本;JP