一种LED芯片的封装工艺制造技术

本发明专利技术提出一种LED芯片的封装工艺，包括以下步骤：S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。通过本发明专利技术的LED芯片的封装工艺制备得到的LED芯片封装件，可改善LED芯片的荧光胶层出现荧光粉沉降的情况。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的封装工艺
本专利技术涉及一种LED芯片的封装工艺。
技术介绍
在LED灯的制作过程中，需要对LED芯片进行封装。封装后的LED芯片有单面(顶面)发光和多面发光等类型，对于多面发光的LED芯片需要对其四侧面和顶面进行荧光胶涂覆，但是同时涂覆五个发光面，在压平固化过程，容易出现荧光粉向四侧底部沉降的情况，导致出光不均，光效弱，底部出现黄边的情况，严重影响产品质量。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术提出一种LED芯片的封装工艺，可改善LED芯片的荧光胶层出现荧光粉沉降的情况。本专利技术提出一种LED芯片的封装工艺，包括以下步骤：S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；S4、在固化后的速干型荧光胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；/nS2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；/nS3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；/nS4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；/nS5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供载体，以及排布在所述载体上的LED芯片的矩阵阵列，相邻的所述LED芯片之间具有间隙；
S2、采用防沉降荧光胶填充所述间隙，所述防沉降荧光胶控制在与LED芯片的顶面平齐的厚度，烘干固化所述防沉降荧光胶；
S3、于所述LED芯片的矩阵阵列上涂覆速干型荧光胶，以覆盖在LED芯片的顶面，烘干固化所述速干型荧光胶；
S4、在固化后的速干型荧光胶上复合AB胶保护膜；
S5、切割所述LED芯片的矩阵阵列，得到LED芯片封装件。


2.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，步骤S2的烘干固化的条件为100-120℃的温度下，预热0.15-0.20小时，然后升温至125-150℃，烘干固化2.5-3.5小时。


3.根据权利要求1所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，步骤S3的烘干固化条件为在138-150℃的温度下，烘干固化0.8-1.5小时。


4.根据权利要求1或2或3所述的LED芯片的封装工艺，其特征在于，所述烘干固化操作在加热模具内进行，所述加热模具包括上模和下模。


5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：麦家通，戴轲，
申请(专利权)人：安晟技术广东有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44