存储器元件的结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种存储器元件的结构及其制造方法。存储器元件的结构包括隧道层，形成在基板上。第一氧/氮/氧层设置在基板上，与所述隧道层相邻。浮置栅设置在所述隧道层上，其中所述浮置栅的边缘部分也设置在所述第一氧/氮/氧层上。第二氧/氮/氧层设置在所述浮置栅上。控制栅设置在所述第二氧/氮/氧层上。隔离层设置在所述浮置栅的第一侧壁上以及所述控制栅的侧壁上。删除栅设置在所述第一氧/氮/氧层上。所述删除栅通过所述隔离层与所述浮置栅与所述控制栅隔离。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件的结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体制造技术，且特别是涉及存储器元件的结构及其制造方法。
技术介绍
非挥发性存储器在数字化的电子产品中，几乎是必要的配备。数字化的电子产品例如是计算机，移动电话、相机、录像机等等在日常生活中也是不可缺少的产品。因此，非挥发性存储器是普遍被需求。非挥发性存储器例如是含控制栅与浮置栅的闪存存储器。由于存储器所存储的数据根据实际操作会经常改变，因此除了写入与读出的操作外，删除数据的操作也经常被执行。因此，删除数据的效率也会影响存储器的整体表现。闪存存储器的结构也继续在研发，以期能提升存储器的整体表现。
技术实现思路
本专利技术提出存储器元件的结构及其制造方法。存储器元件是以含有控制栅与浮置栅的结构为基础的结构，可以减少浮置栅与删除栅之间的电容值以及增加浮置栅到基板之间的电容值，如此可以提升删除数据的效率。在一实施例中，本专利技术提供一种存储器元件的结构，包括隧道层，形成在基板上。第一氧/氮/氧层设置在基板上，与所述隧道层相邻。浮置栅设置在所述隧道层上，其中所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器元件的结构，其特征在于，包括:/n隧道层，形成在基板上；/n第一氧/氮/氧层，设置在所述基板上，与所述隧道层相邻；/n浮置栅，设置在所述隧道层上，其中所述浮置栅的边缘部分也设置在所述第一氧/氮/氧层上；/n第二氧/氮/氧层，设置在所述浮置栅上；/n控制栅，设置在所述第二氧/氮/氧层上；/n隔离层，设置在所述浮置栅的第一侧壁上以及所述控制栅的侧壁上；以及/n删除栅，设置在所述第一氧/氮/氧层上，所述删除栅通过所述隔离层与所述浮置栅与所述控制栅隔离。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件的结构，其特征在于，包括:
隧道层，形成在基板上；
第一氧/氮/氧层，设置在所述基板上，与所述隧道层相邻；
浮置栅，设置在所述隧道层上，其中所述浮置栅的边缘部分也设置在所述第一氧/氮/氧层上；
第二氧/氮/氧层，设置在所述浮置栅上；
控制栅，设置在所述第二氧/氮/氧层上；
隔离层，设置在所述浮置栅的第一侧壁上以及所述控制栅的侧壁上；以及
删除栅，设置在所述第一氧/氮/氧层上，所述删除栅通过所述隔离层与所述浮置栅与所述控制栅隔离。


2.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，还包括垂直介电层在所述浮置栅的所述边缘部分的第二侧壁上，其中所述第二侧壁相邻于浅沟槽隔离结构且与所述第一氧/氮/氧层接合。


3.根据权利要求2所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述垂直介电层占据一空间以减少所述浮置栅的宽度。


4.根据权利要求2所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述垂直介电层包含氧化层与氮化层，叠置在所述第二侧壁。


5.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述隔离层包含第一部分设置在所述浮置栅的所述第一侧壁，以及第二部分设置在所述控制栅的所述侧壁上。


6.根据权利要求5所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述隔离层的所述第一部分是氧化层，且所述隔离层的所述第二部分是第三氧/氮/氧层。


7.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述控制栅没有全部覆盖过所述浮置栅的所述边缘部分。


8.根据权利要求7所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述删除栅包含在顶部区域的凸出部分，覆盖过所述浮置栅的所述边缘部分以及被所述隔离层的一部分隔离。


9.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述基板包含:
主动线，沿着第一方向延伸；以及
浅沟槽隔离线，以隔离所述主动线，
其中所述控制栅是控制栅线且所述删除栅是删除栅线，所述控制栅与所述删除栅延伸于与所述第一方向垂直的第二方向。


10.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述基板包含P型阱区以及在所述P型阱区中的N型阱区，其中所述浮置栅是覆盖过所述P型阱区与所述N型阱区上，且所述删除栅是覆盖过所述N型阱区上。


11.一种制造存储器元件的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：易亮，李志国，任驰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71