具有辅助栅的闪存存储器及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种具有辅助栅的闪存存储器及其制作方法，该具有辅助栅的闪存存储器具有两个浮动栅设置在基底上、一绝缘层形成在该两个浮动栅以及该基底上、一辅助栅设置在该两个浮动栅之间，其中该辅助栅有部分包覆住该两个浮动栅、以及两个选择栅，分别设置在该两个浮动栅外侧且有部分与该浮动栅重叠。

【技术实现步骤摘要】
具有辅助栅的闪存存储器及其制作方法
本专利技术涉及一种闪存存储器，更具体言之，其涉及一种具有辅助栅的闪存存储器结构，可降低闪存存储器所需的工作电压。
技术介绍
闪存存储器(flashmemory)问世至今已有30余年，有别于挥发性存储器如动态随机存取存储器(DRAM)或是静态随机存取存储器(SRAM)，闪存存储器是一种非挥发性存储器，其应用层面极为广泛，特别是在消费性电子产品方面，包括个人计算机、行动通讯产品、数字相机等，都需要具有体积小、容量大、低耗电、可修改等特性的存储装置，闪存存储器无疑符合上述所有要求。一般闪存存储器写入资料(program)的原理是利用热电子注入(hotelectroninjection)或是源极侧注入(sourcesideinjection)等方式来将电子写进存储单元的浮动栅极中，浮动栅极就像是位能阱一样将电子存储于其中；而抹除资料(数据)通常则是利用反向的FN隧穿效应来达成。上述写入或抹除状态会决定浮动栅中电子的多寡，进而影响浮动栅下方的通道电场，故根据所读出的电流大小就可以判定出该存储单元的资料态。...

【技术保护点】
1.一种具有辅助栅的闪存存储器，其特征在于，包含：/n基底；/n两个浮动栅，设置在该基底上；/n绝缘层，共形地形成在该两个浮动栅以及该基底上；/n辅助栅，设置在该两个浮动栅之间的该绝缘层上，其中该辅助栅有部分包覆住该两个浮动栅；/n两个选择栅，分别设置在该两个浮动栅外侧的该绝缘层上，其中该选择栅有部分与该浮动栅重叠。/n

【技术特征摘要】
20190515 TW 1081166961.一种具有辅助栅的闪存存储器，其特征在于，包含：
基底；
两个浮动栅，设置在该基底上；
绝缘层，共形地形成在该两个浮动栅以及该基底上；
辅助栅，设置在该两个浮动栅之间的该绝缘层上，其中该辅助栅有部分包覆住该两个浮动栅；
两个选择栅，分别设置在该两个浮动栅外侧的该绝缘层上，其中该选择栅有部分与该浮动栅重叠。


2.如权利要求1所述的具有辅助栅的闪存存储器，还包含：
源极，形成在该两个浮动栅之间的该基底中，其中该源极有部分与该两个浮动栅重叠；以及
两个漏极，分别形成在该两个选择栅的外侧该基底中。


3.如权利要求2所述的具有辅助栅的闪存存储器，其中该源极为来源线，该漏极连接到位线，该选择栅为字符线，该辅助栅连接到工作电压控制电路。


4.如权利要求3所述的具有辅助栅的闪存存储器，其中在该闪存存储器的写入运作中，该辅助栅连接到该工作电压控制电路所提供的正压，而在该闪存存储器的抹除运作中，该辅助栅连接到该工作电压控制电路所提供的负压。


5.如权利要求1所述的具有辅助栅的闪存存储器，还包含隧穿氧化层，形成在该两个浮动栅与该基底之间。


6.如权利要求1所述的具有辅助栅的闪存存储器，其中该浮动栅与该选择栅重叠部分的角落具有向上突起的尖端部位。


7.如权利要求1所述的具有辅助栅的闪存存储器，其中该辅助栅与该两个选择栅是由同一多晶硅层构成并且两者的顶面齐高。


8.如权利要求1所述的具有辅...

【专利技术属性】
技术研发人员：许汉杰，许正源，
申请(专利权)人：力晶积成电子制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71