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本发明公开一种具有辅助栅的闪存存储器及其制作方法，该具有辅助栅的闪存存储器具有两个浮动栅设置在基底上、一绝缘层形成在该两个浮动栅以及该基底上、一辅助栅设置在该两个浮动栅之间，其中该辅助栅有部分包覆住该两个浮动栅、以及两个选择栅，分别设置在该...
该专利属于力晶积成电子制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶积成电子制造股份有限公司授权不得商用。

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