温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种存储器元件的结构及其制造方法。存储器元件的结构包括隧道层，形成在基板上。第一氧/氮/氧层设置在基板上，与所述隧道层相邻。浮置栅设置在所述隧道层上，其中所述浮置栅的边缘部分也设置在所述第一氧/氮/氧层上。第二氧/氮/氧层设置在所...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。