【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制作方法
本专利技术涉及芯片
，具体涉及一种半导体器件及其制作方法。
技术介绍
芯片又称集成电路，在电子学中是一种把电路小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。通常，芯片泛指所有的半导体元器件，是在硅板上集合多种电子器件实现某种特定功能的电路模块，不同芯片具有不同功能。对于普通设备而言，其通常需要有多个功能的芯片，比如传感器芯片、处理器芯片以及存储芯片等，目前，这些芯片可以采用堆叠方式进行组合，而芯片与芯片之间设置有互联键合层，主要起到承载和连接相邻芯片的作用，功能比较单一，互联键合层的利用率不高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法，以解决现有芯片中互联键合层的功能比较单一、利用率不高的技术问题。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种半导体器件，包括第一芯片，所述第一芯片包括层叠设置的第一芯片基底和第一互联键合层，所述第一互联键合层内设有至少一个第一金属层以及至少一个第一附加器件，所述第一金属层和所述第一芯片基底连接。
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一芯片，所述第一芯片包括层叠设置的第一芯片基底和第一互联键合层，所述第一互联键合层内设有至少一个第一金属层以及至少一个第一附加器件，所述第一金属层和所述第一芯片基底连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括第一芯片，所述第一芯片包括层叠设置的第一芯片基底和第一互联键合层，所述第一互联键合层内设有至少一个第一金属层以及至少一个第一附加器件，所述第一金属层和所述第一芯片基底连接。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一附加器件包括电容器、二极管、电阻器和薄膜晶体管中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述第一芯片键合的第二芯片，所述第二芯片包括层叠设置的第二芯片基底和第二互联键合层，所述第二互联键合层内设有至少一个第二金属层，所述第二金属层与所述第二芯片基底连接；所述第二互联键合层位于所述第一互联键合层远离所述第一芯片基底的表面上，且所述第一金属层和所述第二金属层连接，所述第一附加器件与所述第一金属层、和/或所述第二金属层连接。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一附加器件通过所述第二金属层中的连接通孔与所述第二金属层进行连接。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一附加器件设置在所述第一金属层表面，以与所述第一金属层进行连接。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二互联键合层内还设有至少一个第二附加器件，所述第二附加器件与所述第二金属层、和/或所述第一金属层连接。
7.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括与所述第二芯片键合的第三...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡思平，巴特尔，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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