一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，包括底座，所述底座的上端面固定连接有放置环，所述放置环上设有用于实现圆晶切割过程中减轻水平应力的第一应力缓冲机构，所述底座上设有用于实现圆晶切割过程中减轻竖直应力的第二应力缓冲机构，所述底座内设有缓冲槽，所述缓冲槽内设有用于警示圆晶切割过程中应力超过装置承载能力的警报机构。本实用新型专利技术结构合理，通过设置第一应力缓冲机构实现对于圆晶切割过程中水平方向的应力做缓冲抵消，通过设置第二缓冲机构实现对于圆晶切割过程中竖直方向的应力做缓冲抵消。

【技术实现步骤摘要】
一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构
本技术涉及圆晶切割
，尤其涉及一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构。
技术介绍
现有的CMOS工艺中，当切割道内的版图图形密度,特别是金属通孔/接触(MVIA/CONT)层的密度高,并且面积较大时,在芯片切割的时候,容易因高密度的金属连线聚集,而造成切割时大面积严重的崩裂,同时造成到上层钝化保护层更大程度的崩裂。该应力破坏甚至会破坏芯片保护环,并进入客户芯片,造成芯片失效，该效应越靠近芯片的拐角,情况越严重。圆晶切割过程中对于圆晶切割应力的减轻过程，一直是该项技术的短板，现有的切割固定装置在使用时，无法针对性的实现对于圆晶竖直与水平方向上的应力做缓冲抵消的，因此容易造成圆晶出现较为严重的质量问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，其通过设置第一应力缓冲机构实现对于圆晶切割过程中水平方向的应力做缓冲抵消，通过设置第二缓冲机构实现对于圆晶切割过程中竖直方向的应力做缓冲抵消。为了实现上述目的，本技术采用了如下技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，包括底座(1)，其特征在于，所述底座(1)的上端面固定连接有放置环(2)，所述放置环(2)上设有用于实现圆晶切割过程中减轻水平应力的第一应力缓冲机构，所述底座(1)上设有用于实现圆晶切割过程中减轻竖直应力的第二应力缓冲机构，所述底座(1)内设有缓冲槽(6)，所述缓冲槽(6)内设有用于警示圆晶切割过程中应力超过装置承载能力的警报机构。/n

【技术特征摘要】
1.一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，包括底座(1)，其特征在于，所述底座(1)的上端面固定连接有放置环(2)，所述放置环(2)上设有用于实现圆晶切割过程中减轻水平应力的第一应力缓冲机构，所述底座(1)上设有用于实现圆晶切割过程中减轻竖直应力的第二应力缓冲机构，所述底座(1)内设有缓冲槽(6)，所述缓冲槽(6)内设有用于警示圆晶切割过程中应力超过装置承载能力的警报机构。


2.根据权利要求1所述的一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，其特征在于，所述第一应力缓冲机构包括设置在放置环(2)内的滑动槽(8)，所述滑动槽(8)内滑动连接有T形受力架(7)，所述滑动槽(8)的内底部与T形受力架(7)的末端之间套设有第一缓冲弹簧，所述T形受力架(7)的末端固定连接有弧形接触板(9)，所述弧形接触板(9)上固定连接有接触橡胶层(10)。


3.根据权利要求1所述的一种减轻晶圆切割应力破坏的晶圆结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠，
申请(专利权)人：上海灏谷集成电路技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31