一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。技术方案：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，使产品平整厚度一致；正面减薄：采用减薄机与专用吸真空工装匹配对基片正面进行减薄；正面研磨：通过专用吸真空工装匹配，采用单面研磨机对基片正面进行研磨；正面抛光：通过专用吸真空工装匹配，采用单面抛光机对基片正面进行抛光；同理进行反面减薄、研磨、抛光。有益效果：本发明专利技术解决了现有工艺的极限厚度、精度、碎片率、外观不良等问题，完全可以满足100um厚度电容器所需基片要求，实现了超薄单层陶瓷电容器的制造。
【技术实现步骤摘要】
一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺
本专利技术属于单层陶瓷电容器制造领域，具体为一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺。
技术介绍
单层陶瓷电容器产品是在陶瓷基片上进行金属化，形成两侧电极，因此陶瓷基片是单层电容器的基础，决定了产品的性能容值、损耗、绝缘、温度系数等等、结合力、合格率，单层电容器行业发展迅速，趋势为向超薄、超小尺寸发展，终端需求现在已经要求成品厚度低至0.1mm，并且精度要求在±2um，否则产品的容值就会超差，因为瓷片材料脆性很大，厚度低于0.15mm就极易碎片，因此100um厚度基片是当前各个单层制造商正在攻克的难题。现有的研磨工艺主要为双面研磨和单面研磨，但是双面研磨因治具原因，极限厚度在0.15mm左右，远远达不到0.1mm的厚度要求，且碎片率非常高。单面一般研磨采用粘蜡，但是研磨速率和精度问题也无法满足0.1mm产品加工，并且残蜡去除是很难控制的，会极大地影响产品的结合力，因此，当前瓷片制作工艺在生产效率和合格率方面远远不能满足生产。
技术实现思路
为了解决上述现有技术中存在的问题，本专利技术提出一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺，该工装通过真空固定基片，吸力均匀，该制造工艺增加减薄工艺，并采用组合工艺来加工超薄基片，解决现有工艺的弊端，充分满足超薄电容器生产用基片要求。技术方案如下：一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，包括：透气钢、密封圈、凸台、吸真空口，所述凸台为四周封闭的中空结构，所述凸台上表面开有若干用于放置基片的区域，所述透气钢设置在所述区域中，所述透气钢四周设置所述密封圈，所述凸台下表面设置所述吸真空口。进一步的，所述密封圈为橡胶圈。进一步的，所述区域的数量为8-10。进一步的，还包括吸真空管路和真空机，所述吸真空口通过所述吸真空管路与所述真空机连接。进一步的，所述区域沿所述凸台边缘呈环形分布。本专利技术还包括一种超薄单层陶瓷电容器基片制造工艺，步骤如下：S1、双面研磨：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，使产品平整厚度一致；S2、正面减薄：采用具有光栅控制系统的减薄机与专用吸真空工装匹配对基片正面进行减薄；S3、正面研磨：通过专用吸真空工装匹配，采用单面研磨机对基片正面进行研磨；S4、正面抛光：通过专用吸真空工装匹配，采用单面抛光机对基片正面进行抛光；S5、反面减薄：采用具有光栅控制系统的减薄机与专用吸真空工装匹配对基片反面进行减薄；S6、反面研磨：通过专用吸真空工装匹配，采用单面研磨机对基片反面进行研磨；S7、反面抛光：通过专用吸真空工装匹配，采用单面抛光机对基片反面进行抛光。进一步的，还包括以下步骤：S8、清洗，将基片放入咔塞盒，用纯水冲洗后采用超声波和酒精清洗，最后风干，存放。进一步的，所述专用吸真空工装包括：透气钢、密封圈、凸台、吸真空口，所述凸台为中空结构，所述凸台上表面开有若干用于放置基片的区域，所述透气钢设置在所述区域中，所述透气钢四周设置所述密封圈，所述凸台下表面设置所述吸真空口。有益效果：本专利技术所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装通过凸台的开孔区域限定基片的位置，采用吸真空固定基片，通过透气钢作为基片对的接触介质，保证吸力均匀，采用密封圈保证密封性，防止漏气及杂质进入，相对于粘蜡法有效提高了效率，通过跟工艺的结合解决了现有工艺的极限厚度、精度、碎片率、外观不良等问题，完全可以满足100um厚度电容器所需基片要求，实现了超薄单层陶瓷电容器的制造，能达到以下指标：1、厚度极限≥80um；2、碎片率大大降低，＜0.5％；3、厚度均匀性好，厚度极差≤2um。附图说明图1为本专利技术一次性树脂游轮工装结构示意图；图2为本专利技术吸真空工装结构示意图；图3为本专利技术吸真空工装结构剖视图；图4为双面研磨示意图；图5为单面研磨示意图；图6为单面研磨/抛光示意图；图中附图标记如下：1-透气钢、2-密封圈、3-凸台、4-吸真空口、5-基片；11-工件、12-游星轮、13-内齿圈、14-上磨盘、15-下磨盘、16-磨料、17-太阳轮、18-载具盘、19-砂轮、20-配重盘、21-磨盘。具体实施方式下面结合附图1-6对超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺做进一步说明。实施例1一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，包括：透气钢1、密封圈2、凸台3、吸真空口4，所述凸台3为四周封闭的中空结构，所述凸台3上表面开有若干用于放置基片5的区域，所述透气钢1设置在所述区域中，所述透气钢1四周设置所述密封圈2，所述凸台3下表面设置所述吸真空口4。进一步的，所述密封圈2为橡胶圈。进一步的，所述区域的数量为8-10。进一步的，还包括吸真空管路和真空机，所述吸真空口4通过所述吸真空管路与所述真空机连接。进一步的，所述区域沿所述凸台3边缘呈环形分布。所述基片5放置到所述区域中，所述凸台3高出区域的部分固定住所述基片5，所述基片5下方为所述透气钢1，透气钢1的孔密度度均匀一致，所以保证了吸力均匀，透气钢1四周通过橡胶圈进行密封，防止漏气及杂质进入，通过真空机连接吸真空管路，吸真空管路连接到吸真空口4，从而均与地吸附住所述基片5，继而进行其他的工艺步骤。针对现有基片厚度薄、精度高的要求，在加工过程的高碎片率、低效率、低精度问题，本专利技术采用新工艺方法，增加减薄工艺，并采用组合工艺来加工超薄基片，实现厚度＜0.1mm，精度±2um以内，碎片率控制在0.5％以内，解决现有工艺的弊端，充分满足超薄电容器生产用基片要求。通过增加减薄工艺，并与单面研磨、双面研磨工艺匹配，研发出超薄产品研磨工艺流程：双面研磨-正面减薄-正面研磨-正面抛光-反面减薄-反面研磨-反面抛光-清洗。双面研磨，采用专门设计工装，将产品进行预处理，将烧结后基片表面杂质、凹坑、凸起等缺陷去除，使产品平整厚度一致，为减薄做好准备。技术特征：采用一次性树脂游轮工装，厚度＞产品30-50um，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，避免碎片，采用刚玉微粉降低研磨成本，所述一次性树脂游轮工装如图1所示正面减薄工艺，采用减薄工艺，该设备具有1um精度光栅控制系统，高精度伺服电机控制减薄砂轮的动作，使其加工精度可达±1um左右，为后序加工提供高精度的基准面。此工艺步骤需要与专用吸真空工装匹配，保证低的碎片率和高精度，所述减薄机型号为FD-300A。技术特征：采用专用吸真空工装，避免使用粘蜡工艺导致的残蜡问题，根据成品厚度，预留研磨厚度10-20um空间。正面研磨，减薄加工后，产品表面会有非常明显的划痕，是后序无法接受的，因此必需对表面进行研磨处理，消除划痕，通过专用的工装匹配，采用单面研本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，包括：透气钢(1)、密封圈(2)、凸台(3)、吸真空口(4)，所述凸台(3)为四周封闭的中空结构，所述凸台(3)上表面开有若干用于放置基片(5)的区域，所述透气钢(1)设置在所述区域中，所述透气钢(1)四周设置所述密封圈(2)，所述凸台(3)下表面设置所述吸真空口(4)。/n
【技术特征摘要】
1.一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，包括：透气钢(1)、密封圈(2)、凸台(3)、吸真空口(4)，所述凸台(3)为四周封闭的中空结构，所述凸台(3)上表面开有若干用于放置基片(5)的区域，所述透气钢(1)设置在所述区域中，所述透气钢(1)四周设置所述密封圈(2)，所述凸台(3)下表面设置所述吸真空口(4)。
2.如权利要求1所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，所述密封圈(2)为橡胶圈。
3.如权利要求1所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，所述区域的数量为8-10。
4.如权利要求1所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，还包括吸真空管路和真空机，所述吸真空口(4)通过所述吸真空管路与所述真空机连接。
5.如权利要求3所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，所述区域沿所述凸台(3)边缘呈环形分布。
6.一种超薄单层陶瓷电容器基片制造工艺，其特征在于，步骤如下：
S1、双面研磨：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘溪笔，刘云志，杨国兴，吴继伟，
申请(专利权)人：大连达利凯普科技股份公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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