一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺制造技术

一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺，属于单层陶瓷电容器制造领域。技术方案：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，使产品平整厚度一致；正面减薄：采用减薄机与专用吸真空工装匹配对基片正面进行减薄；正面研磨：通过专用吸真空工装匹配，采用单面研磨机对基片正面进行研磨；正面抛光：通过专用吸真空工装匹配，采用单面抛光机对基片正面进行抛光；同理进行反面减薄、研磨、抛光。有益效果：本发明专利技术解决了现有工艺的极限厚度、精度、碎片率、外观不良等问题，完全可以满足100um厚度电容器所需基片要求，实现了超薄单层陶瓷电容器的制造。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺
本专利技术属于单层陶瓷电容器制造领域，具体为一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装及制造工艺。
技术介绍
单层陶瓷电容器产品是在陶瓷基片上进行金属化，形成两侧电极，因此陶瓷基片是单层电容器的基础，决定了产品的性能容值、损耗、绝缘、温度系数等等、结合力、合格率，单层电容器行业发展迅速，趋势为向超薄、超小尺寸发展，终端需求现在已经要求成品厚度低至0.1mm，并且精度要求在±2um，否则产品的容值就会超差，因为瓷片材料脆性很大，厚度低于0.15mm就极易碎片，因此100um厚度基片是当前各个单层制造商正在攻克的难题。现有的研磨工艺主要为双面研磨和单面研磨，但是双面研磨因治具原因，极限厚度在0.15mm左右，远远达不到0.1mm的厚度要求，且碎片率非常高。单面一般研磨采用粘蜡，但是研磨速率和精度问题也无法满足0.1mm产品加工，并且残蜡去除是很难控制的，会极大地影响产品的结合力，因此，当前瓷片制作工艺在生产效率和合格率方面远远不能满足生产。
技术实现思路
为了解决上述现有技术中存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，包括：透气钢(1)、密封圈(2)、凸台(3)、吸真空口(4)，所述凸台(3)为四周封闭的中空结构，所述凸台(3)上表面开有若干用于放置基片(5)的区域，所述透气钢(1)设置在所述区域中，所述透气钢(1)四周设置所述密封圈(2)，所述凸台(3)下表面设置所述吸真空口(4)。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，包括：透气钢(1)、密封圈(2)、凸台(3)、吸真空口(4)，所述凸台(3)为四周封闭的中空结构，所述凸台(3)上表面开有若干用于放置基片(5)的区域，所述透气钢(1)设置在所述区域中，所述透气钢(1)四周设置所述密封圈(2)，所述凸台(3)下表面设置所述吸真空口(4)。


2.如权利要求1所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，所述密封圈(2)为橡胶圈。


3.如权利要求1所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，所述区域的数量为8-10。


4.如权利要求1所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，还包括吸真空管路和真空机，所述吸真空口(4)通过所述吸真空管路与所述真空机连接。


5.如权利要求3所述的超薄单层陶瓷电容器基片吸真空工装，其特征在于，所述区域沿所述凸台(3)边缘呈环形分布。


6.一种超薄单层陶瓷电容器基片制造工艺，其特征在于，步骤如下：
S1、双面研磨：采用一次性树脂游轮工装对产品进行预处理，使基片从0受力到全面受力均匀逐步进行，将烧结后基片表面的杂质、凹坑、凸起去除，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘溪笔，刘云志，杨国兴，吴继伟，
申请(专利权)人：大连达利凯普科技股份公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21