半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域上沿第一方向间隔开的第一鳍组，每个所述第一鳍组包括在与所述第一方向相交的第二方向上纵长地延伸的相邻的第一鳍和第二鳍；以及在所述第二区域上沿第三方向间隔开的第三鳍至第五鳍，所述第三鳍至所述第五鳍在与所述第三方向相交的第四方向上纵长地延伸。所述第三鳍至所述第五鳍具有第一节距，所述第一鳍和所述第二鳍具有等于或小于所述第一节距的第二节距，相邻的所述第一鳍组具有大于所述第一节距的三倍且小于所述第一节距的四倍的第一组节距，并且所述第一鳍的宽度和所述第二鳍的宽度与所述第三鳍的宽度相同。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件相关申请的交叉引用通过引用的方式将于2019年5月16日在韩国知识产权局提交的题为“SemiconductorDeviceandMethodforFabricatingTheSame”(半导体器件及其制造方法)的韩国专利申请No.10-2019-0057279的全部内容合并与此。
本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地，本公开涉及一种具有改善的操作性能的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
作为用于增加半导体器件的密度的缩放技术之一，已经提出了一种多栅极晶体管，在该多栅极晶体管中，具有鳍形或纳米线形的硅体形成在衬底上并且栅极形成在硅体的表面上。由于这种多栅极晶体管利用三维沟道，因此易于缩放。另外，即使不增加多栅极晶体管的栅极长度，也可以改善电流控制能力。此外，可以有效地抑制沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(SCE)。
技术实现思路
根据本公开的一方面，提供了一种半导体器件，其包括：具有第一区域和第二区域的衬底；在所述第一区域上沿第一方向布置的多个第一鳍组，每个所述第一鳍组具有彼此相邻并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；/n多个第一鳍组，所述多个第一鳍组在所述第一区域上沿第一方向彼此间隔开，所述多个第一鳍组中的每个第一鳍组包括彼此相邻并且在与所述第一方向相交的第二方向上纵长地延伸的第一鳍和第二鳍；以及/n第三鳍、第四鳍和第五鳍，所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍在所述第二区域上沿第三方向彼此间隔开，所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍在与所述第三方向相交的第四方向上纵长地延伸，/n其中，所述第三鳍与所述第四鳍并且所述第四鳍与所述第五鳍分别以第一鳍节距定位，/n其中，所述第一鳍与所述第二鳍以等于或小于所述第一鳍节距的第二鳍节距定位，...

【技术特征摘要】
20190516 KR 10-2019-00572791.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；
多个第一鳍组，所述多个第一鳍组在所述第一区域上沿第一方向彼此间隔开，所述多个第一鳍组中的每个第一鳍组包括彼此相邻并且在与所述第一方向相交的第二方向上纵长地延伸的第一鳍和第二鳍；以及
第三鳍、第四鳍和第五鳍，所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍在所述第二区域上沿第三方向彼此间隔开，所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍在与所述第三方向相交的第四方向上纵长地延伸，
其中，所述第三鳍与所述第四鳍并且所述第四鳍与所述第五鳍分别以第一鳍节距定位，
其中，所述第一鳍与所述第二鳍以等于或小于所述第一鳍节距的第二鳍节距定位，
其中，所述多个第一鳍组中的相邻的第一鳍组以第一组节距定位，所述第一组节距大于所述第一鳍节距的三倍且小于所述第一鳍节距的四倍，并且
其中，所述第一鳍和所述第二鳍中的每一者的宽度与所述第三鳍的宽度相同。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍具有相同的宽度。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括位于所述第二区域上的第六鳍，所述第六鳍沿所述第三方向与所述第五鳍相邻并沿所述第四方向纵长地延伸，所述第五鳍与所述第六鳍以第三鳍节距定位，所述第三鳍节距是所述第一鳍节距的n倍，其中，n是等于或大于2的自然数。


4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第三鳍节距是所述第一鳍节距的三倍。


5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍构成沿所述第三方向布置的第二鳍组，并且多个所述第二鳍组沿所述第三方向布置。


6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多个第二鳍组中的相邻的第二鳍组以第二组节距定位，所述第二组节距是所述第一鳍节距的m倍，其中，m是等于或大于4的自然数。


7.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
位于所述第一区域上的第一场绝缘膜，所述第一场绝缘膜覆盖所述第一鳍和所述第二鳍中的每个鳍的侧壁的至少一部分；以及
位于所述第二区域上的第二场绝缘膜，所述第二场绝缘膜覆盖所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍中的每个鳍的侧壁的至少一部分。


8.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：
第一栅电极，所述第一栅电极在所述第一鳍和所述第二鳍上沿所述第一方向延伸；以及
第二栅电极，所述第二栅电极在所述第三鳍、所述第四鳍和所述第五鳍上沿所述第三方向延伸。


9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一鳍节距是30nm或更小。


10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三鳍的宽度是10nm或更小。


11.一种半导体器件，所述半导体器件包括：
衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；
多个第一鳍组，所述多个第一鳍组在所述第一区域上沿第一方向彼此间隔开，所述多个第一鳍组中的每个第一鳍组包括彼此相邻并且在与所述第一方向相交的第二方向上纵长地延伸的第一鳍和第二鳍；以及
多个第二鳍组，所述多个第二鳍组在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：权兑勇，金并基，李基焕，李正韩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR