【技术实现步骤摘要】
具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法
本专利技术属于半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法。
技术介绍
与常规的LDMOS相比，SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、极小的寄生效应以及良好的隔离特性等优点，并减弱了闭锁效应和具备强抗辐照能力，使集成电路的可靠性和抗软失误能力大大提高，正逐渐成为制造高速度、低功耗、高集成度和高可靠性的集成电路的主流技术。根据SOI介质场增强(EnhancedDielectriclayerField，简称ENDIF)普适理论，采用超薄顶硅层可提高SOI器件的纵向耐压，但同时也导致了较大的比导通电阻。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法，以在保持器件具有较高的击穿电压的同时降低器件的比导通电阻。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，所述器件包括：图形SOI衬底，包括依次层...
【技术保护点】
1.一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于，所述器件包括：/n图形SOI衬底，包括依次层叠P型硅衬底、绝缘层及顶硅层，所述绝缘层中具有窗口，所述窗口中填充有P型外延层，所述P型外延层连接所述P型硅衬底及所述顶硅层；/nP型体区，形成于所述P型外延层上的顶硅层中；/n超结结构，形成于所述顶硅层中，其一侧并与所述P型体区横向连接，所述超结结构包括层叠的P型超结体区及N型超结体区；/nN型体区，形成于所述顶硅层中，并连接于所述超结结构的另一侧；/nN型源区，形成于所述P型体区中；/nP型重掺杂衬底接触区，形成于所述P型体区中；/nN型漏区，形成于所述N型体区中；/...
【技术特征摘要】
1.一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于，所述器件包括：
图形SOI衬底，包括依次层叠P型硅衬底、绝缘层及顶硅层，所述绝缘层中具有窗口，所述窗口中填充有P型外延层，所述P型外延层连接所述P型硅衬底及所述顶硅层；
P型体区，形成于所述P型外延层上的顶硅层中；
超结结构，形成于所述顶硅层中，其一侧并与所述P型体区横向连接，所述超结结构包括层叠的P型超结体区及N型超结体区；
N型体区，形成于所述顶硅层中，并连接于所述超结结构的另一侧；
N型源区，形成于所述P型体区中；
P型重掺杂衬底接触区，形成于所述P型体区中；
N型漏区，形成于所述N型体区中；
场氧化层，形成于所述N型超结体区中；
栅氧化层，横跨于所述N型源区及所述N型超结体区之间；
栅极层，形成于所述栅氧化层上。
2.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述栅氧化层还横跨于所述场氧化层上以与所述场氧化层具有交叠区域，所述交叠区域的宽度介于所述场氧化层宽度的1/4～3/4之间。
3.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述场氧化层的厚度小于所述N型超结体区的深度，所述场氧化层包括locos场氧化层或STI场氧化层，所述场氧化层的厚度范围介于3000埃～5000埃，宽度介于1微米～2微米。
4.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述P型超结体区的注入离子包括硼，离子注入剂量介于1～5E12/cm2，所述N型超结体区的注入离子包括磷，离子注入剂量介于1～3E12/cm2。
5.根据权利要求1所述的具有超结结构的SOI横向LDMOS器件，其特征在于：所述器件的耐压介于50V～300V之间，导通电阻不大于200mohm*mm2。
6.一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：
1)提供一P型硅衬底，于所述P型硅衬底上形成绝缘层；
2)于所述绝缘层中刻蚀出窗口；
3)于所述窗口中形成P型外延层，并在所述绝缘层上形成顶...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凡，
申请(专利权)人：宁波宝芯源功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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