半导体装置的制造方法以及半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有：半导体基板；第一导电型的漂移层；第二导电型的阱区；所述第二导电型的高浓度区域；所述第一导电型的源极区域；被设置在所述漂移层上的绝缘膜；经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触的第一接触金属膜；被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触的第二接触金属膜；以及被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面的源电极膜。其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，所述第二接触金属膜包含钛。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法以及半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法以及半导体装置。
技术介绍
由于碳化硅(SiC)具有硅(Si)的大约10倍的绝缘破坏电场强度，因此其被用作高耐压半导体装置的材料。在使用了半导体基板(例如n型SiC)的半导体装置(例如MOSFET)中，通过接触金属膜来使漂移层与电极膜(例如包含铝和硅的合金(Al-Si)或铝(Al))电连接、且为机械连接(例如参照专利文献1)。先行技术文献专利文献专利文献1：特开2016-92038号公报本专利技术人能够判明的是：在将氮化钛(TiN)作为接触金属膜来成膜在半导体基板上之后，通过成膜包含铝和硅的合金、包含铝和铜的合金或者铝的电极膜，就能够形成欧姆接触。然而，该构造却存在着这样的问题：在形成于MOSFET的n型的漂移层上的p型掺杂物的高浓度区域(SiC(p+))与氮化钛之间的界面处，接触电阻会变高。行业普遍希望：形成于漂移层上的p型掺杂物的高浓度区域与接触金属膜之间的接触电阻能够尽可能地降低。否则，在MOSFET关断时，高浓度区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n半导体基板，其由碳化硅构成；/n第一导电型的漂移层，其被设置在所述半导体基板的一个主面上；/n第二导电型的阱区，其被设置在所述漂移层上；/n所述第二导电型的高浓度区域，其被设置在所述阱区，并且掺杂物浓度比所述阱区更高；/n所述第一导电型的源极区域，其与所述高浓度区域相邻设置；/n绝缘膜，其被设置在所述漂移层上；/n第一接触金属膜，其经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触；/n第二接触金属膜，其被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触；以及/n源电极膜，其被...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体基板，其由碳化硅构成；
第一导电型的漂移层，其被设置在所述半导体基板的一个主面上；
第二导电型的阱区，其被设置在所述漂移层上；
所述第二导电型的高浓度区域，其被设置在所述阱区，并且掺杂物浓度比所述阱区更高；
所述第一导电型的源极区域，其与所述高浓度区域相邻设置；
绝缘膜，其被设置在所述漂移层上；
第一接触金属膜，其经由设置在所述绝缘膜上的第一开口部来与所述源极区域及所述高浓度区域相接触；
第二接触金属膜，其被形成于所述第一接触金属膜的表面，并且经由设置在所述第一接触金属膜上的第二开口部来与所述高浓度区域相接触；以及
源电极膜，其被形成于包含所述第一接触金属膜、所述第二接触金属膜的接触金属层的表面，
其中，所述第一接触金属膜包含氮化钛，
所述第二接触金属膜包含钛。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述第二接触金属膜包含：在与所述高浓度区域之间的接触面上设置的硅化镍。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述硅化镍为颗粒状。


4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：
硅化镍层，其经由设置在所述第二接触金属膜上的第三开口部而与所述高浓度区域相接触。


5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述源电极膜由包含铝和硅的合金、包含铝和铜的合金或铝所形成。


6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
漂移层形成工序，在由碳化硅所构成的半导体基板的一个主面上形成第一导电型的漂移层；
阱区形成工序，在所述漂移层上形成露出于所述漂移层的表面的且是与所述第一导电型相反...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥哲平，井上徹人，菅井昭彦，望月孝，中村俊一，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP