【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和其制作方法
本公开涉及一种半导体装置和其制作方法，并且更具体地涉及一种包含将栅极总线与栅极连接的连接结构的半导体装置和其制作方法。
技术介绍
包含直接带隙半导体的组件，例如包含III-V族材料或III-V族化合物(类别：III-V族化合物)的半导体组件由于其特性而可以在各种条件或各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)运行或工作。半导体组件可以包含异质结双极性晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、调制掺杂FET(MODFET)等。
技术实现思路
在本公开的一些实施例中，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包含III族氮化物层、栅极、连接结构和栅极总线。所述栅极安置在所述III族氮化物层之上。所述连接结构安置在所述栅极之上。所述栅极总线基本上平行于所述栅极延伸并且从俯视图角度看安置在所述连接结构之上。所述栅极总线通过所述连接结构电连接到所述栅极。在本公开的一些实施例中，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包含III族氮化物层、第一欧姆接...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/nIII族氮化物层；/n栅极，所述栅极安置在所述III族氮化物层之上；/n连接结构，所述连接结构安置在所述栅极之上；以及/n栅极总线，所述栅极总线基本上平行于所述栅极延伸并且从俯视图角度看安置在所述连接结构之上，/n其中所述栅极总线通过所述连接结构电连接到所述栅极。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其包括：
III族氮化物层；
栅极，所述栅极安置在所述III族氮化物层之上；
连接结构，所述连接结构安置在所述栅极之上；以及
栅极总线，所述栅极总线基本上平行于所述栅极延伸并且从俯视图角度看安置在所述连接结构之上，
其中所述栅极总线通过所述连接结构电连接到所述栅极。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅极沿第一方向延伸，并且所述连接结构沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向延伸。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述栅极总线沿所述第二方向的宽度大于所述栅极沿所述第二方向的宽度。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述栅极总线沿所述第二方向的所述宽度与所述栅极沿所述第二方向的所述宽度之比等于或大于5。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述连接结构安置在所述栅极总线与所述栅极之间。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
第一导电通孔，所述第一导电通孔堆叠在所述连接结构与所述栅极之间并且将所述连接结构与所述栅极电连接。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其进一步包括：
第二导电通孔，所述第二导电通孔安置在所述栅极总线与所述连接结构之间并且将所述栅极总线与所述连接结构电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
欧姆接触层，所述欧姆接触层安置在低于所述连接结构的高程处。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
导电层，所述导电层包含在高程上与所述栅极基本上相同的第一部分和所述栅极上方的第二部分。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述导电层的所述第一部分沿第一方向基本上平行于所述栅极延伸。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述导电层的所述第二部分横跨所述栅极的一部分。
12.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
欧姆接触层，所述欧姆接触层安置在所述III族氮化物层之上；
第一导电层，所述第一导电层安置在所述欧姆接触层上方；以及
多个导电通孔，所述多个导电通孔安置在所述欧姆接触层与所述第一导电层之间并且将所述欧姆接触层与所述第一导电层电连接。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第一导电层限定所述栅极总线正下方的多个开口。
14.根据权利要求12所述的半导体装置，其进一步包括：
第二导电层，所述第二导电层包含：
在高程上安置成与所述栅极基本上相同的第一部分；以及
位于所述栅极上方并且电连接到所述第一导电层的第二部分。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中所述导电层的所述第二部分安置在所述栅极与所述第一导电层之间。
16.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
所述III族氮化物层中的结构，其中所述结构的材料不同于所述III族氮化物层的材料，并且所述结构位于所述连接结构正下方。
17.一种半导体装置，其包括：
技术研发人员：李浩，张安邦，王剑，郑浩宁，
申请(专利权)人：英诺赛科珠海科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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