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本公开提供了一种半导体装置和其制作方法。所述半导体装置包含III族氮化物层、栅极、连接结构和栅极总线。所述栅极安置在所述III族氮化物层之上。所述连接结构安置在所述栅极之上。所述栅极总线基本上平行于所述栅极延伸并且从俯视图角度看安置在所述连...
该专利属于英诺赛科(珠海)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科(珠海)科技有限公司授权不得商用。

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