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本发明提供一种具有超结结构的SOI横向LDMOS器件及制作方法，器件包括：图形SOI衬底，其绝缘层中具有窗口，窗口中填充有P型外延层；P型体区；超结结构，其一侧并与P型体区横向连接，超结结构包括层叠的P型超结体区及N型超结体区；N型体区，连...
该专利属于宁波宝芯源功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波宝芯源功率半导体有限公司授权不得商用。

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