一种PLC晶圆加工用激光切割设备制造技术

本实用新型专利技术属于晶圆加工技术领域，且公开了一种PLC晶圆加工用激光切割设备，包括装置本体，所述装置本体的顶部设置有工作台和支撑杆，所述工作台设置在支撑杆的前面，所述支撑杆伸出部分的底部设置有活动激光发射器，所述工作台顶部的左端开设有滑道，所述滑道的内部阵列设置有两个活动夹持件。本实用新型专利技术通过活动夹持件和工作台等结构的配合，从而使得其在进行切割工作的时候，可以自由活动，而通过在工作台顶部左端滑道内的两个活动夹持件对工件进行夹持，并且能够夹持更多大小形状不同的晶圆柱，从而提高了夹持装置的适应性，减少了不同夹持直径的夹具生产，从而节约了生产成本使得晶圆的生产效果更好。使得晶圆的生产效果更好。使得晶圆的生产效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种PLC晶圆加工用激光切割设备


[0001]本技术属于晶圆加工
，具体是一种PLC晶圆加工用激光切割设备。

技术介绍

[0002]晶圆是微电子产业的行业术语之一，晶圆是指将高纯度的圆柱形硅棒用激光切割成极薄的硅片(圆形)，然后用光学和化学蚀刻的方法把电路、电子元器件做上去，做好之后的每片硅片上有大量的一片片的半导体芯片(小规模电路或者三极管的话，每片上可以有3000
‑
5000片)，而这些加工好的圆形硅片就是晶圆。
[0003]而在进行切割的时候，由于大部分的夹持装置的夹持直径基本都是固定的，从而导致当对不易直径的工件进行切割的时候，需要更换不同的夹持装置，从而加大了资金投入，并且在进行更换的时候，减慢了生产速度。
[0004]而在进行切割的时候，由于激光的温度极高，从而导致当切割完成后，工件由于热传递，也会残留一定的温度，从而导致在收纳的时候，无法快速收纳，且表面会残留着一些切割后残留的碎屑，从而影响了之后的加工。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是针对以上问题，本技术提供了一种PLC晶圆加工用激光切割设备，具有可适应不同大小的晶圆柱和快速冷却的优点。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种PLC晶圆加工用激光切割设备，包括装置本体，所述装置本体的顶部设置有工作台和支撑杆，所述工作台设置在支撑杆的前面，所述支撑杆伸出部分的底部设置有活动激光发射器，所述工作台顶部的左端开设有滑道，所述滑道的内部阵列设置有两个活动夹持件，所述工作台的左端固定安装有活动推杆，所述工作台顶部的右端设置有冷却结构。
[0007]作为本技术的一种优选技术方案，所述冷却结构包括喷洒装置、水泵、喷洒头、过滤网、过渡支撑区和净水区，所述工作台右端的中部开设有过渡支撑区，所述过渡支撑区的顶部设置有过滤网，所述过渡支撑区的右侧开设有净水区，所述净水区的顶部固定安装有喷洒装置，所述喷洒装置的顶部固定安装有水泵，所述喷洒装置的左侧固定安装有喷洒头，当进行使用的时候，启动水泵将净水区中的水通过喷洒装置的喷洒头喷出，从而对过滤网上刚切割好的工件进行冷却，从而使得工件的快速降温，从而加快了生产速度，而且切割后的残渣也会被抽到过滤网的内部，然后被过滤，然后水则经过过渡支撑区流到净水区中，从而在进行冷却的时候，进行了水的循环利用，从而减少了水资源的浪费，且减少了工件表面的残渣。
[0008]作为本技术的一种优选技术方案，两个所述活动夹持件均包括有旋转件、活动块、滑块、移动台、双向螺杆和支撑件，所述滑块设置在工作台顶部的滑道的内部，所述滑块的左端固定安装有活动块，所述活动块的左端设置有旋转件，所述活动块的中部设置有双向螺杆，所述双向螺杆的表面活动安装有两个移动台，两个移动台的顶部固定安装有两
个支撑件，当进行夹持的时候，根据工件的长度调整两个滑块在滑道中的位置，从而使得夹持效果更好，而当工件的直径与两个移动台不同的时候，转动旋转件，使得双向螺杆转动，从而使得移动台移动，使得两个支撑件之间的距离与工件的直径相适配，从而达到了使用工件不同直径和长度的目的。
[0009]作为本技术的一种优选技术方案，两个所述支撑件对称设置，两个所述支撑件的内侧均开设有凹槽，所述凹槽的内部阵列设置有弹簧，所述弹簧的另一端均设置有活动支撑件，通过将两个支撑件对称设置，而当进行使用的时候，由于活动支撑件和弹簧的作用，当进行放置的时候，起到了夹持作用的同时，减少了对工件的损伤。
[0010]作为本技术的一种优选技术方案，所述喷洒头的下方阵列开设有水槽，所述水槽与过渡支撑区相通，通过在喷洒头的下方阵列开设有水槽，并将水槽与过渡支撑区相通，从而喷洒头残留的水滴掉进水槽中，然后流进过渡支撑区中。
[0011]作为本技术的一种优选技术方案，所述工作台的前侧开设有活动槽，所述活动块的后端设置在活动槽的内部，当进行使用的时候，活动块会沿着工作台前侧开设的活动槽进行移动，从而使得方向固定，从而减少了偏移。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0013]1、本技术通过活动夹持件和工作台等结构的配合，当进行使用的时候，通过装置本体顶部支撑杆伸出部分的底部设置有活动激光发射器对工件进行切割，而由于活动激光发射器的作用，从而使得其在进行切割工作的时候，可以自由活动，而通过在工作台顶部左端滑道内的两个活动夹持件对工件进行夹持，并且能够夹持更多大小形状不同的晶圆柱，从而提高了夹持装置的适应性，减少了不同夹持直径的夹具生产，从而节约了生产成本使得晶圆的生产效果更好。
[0014]2、本技术通过喷洒装置、水泵和净水区等结构的配合，当进行使用的时候，启动水泵将净水区中的水通过喷洒装置的喷洒头喷出，从而对过滤网上刚切割好的工件进行冷却，从而使得工件的快速降温，从而加快了生产速度，而且切割后的残渣也会被抽到过滤网的内部，然后被过滤，然后水则经过过渡支撑区流到净水区中，从而在进行冷却的时候，进行了水的循环利用，从而减少了水资源的浪费，且减少了工件表面的残渣。
附图说明
[0015]图1为本技术整体外观结构示意图；
[0016]图2为本技术左视结构示意图；
[0017]图3为本技术主视剖面结构示意图；
[0018]图4为本技术活动夹持件外观结构示意图；
[0019]图5为本技术活动夹持件剖面结构示意图。
[0020]图中：1、装置本体；2、活动推杆；3、支撑杆；4、活动夹持件；41、旋转件；42、活动块；43、滑块；44、移动台；45、双向螺杆；46、支撑件；47、弹簧；48、凹槽；49、活动支撑件；5、工作台；6、活动激光发射器；7、喷洒装置；8、水泵；9、喷洒头；10、过滤网；11、过渡支撑区；12、净水区。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]如图1至图5所示，本技术提供一种PLC晶圆加工用激光切割设备，包括装置本体1，装置本体1的顶部设置有工作台5和支撑杆3，工作台5设置在支撑杆3的前面，支撑杆3伸出部分的底部设置有活动激光发射器6，工作台5顶部的左端开设有滑道，滑道的内部阵列设置有两个活动夹持件4，工作台5的左端固定安装有活动推杆2，工作台5顶部的右端设置有冷却结构。当进行使用的时候，通过装置本体1顶部支撑杆3伸出部分的底部设置有活动激光发射器6对工件进行切割，而由于活动激光发射器6的作用，从而使得其在进行切割工作的时候，可以自由活动，而通过在工作台5顶部左端滑道内的两个活动夹持件4对工件进行夹持，并且能够夹持更多大小形状不同的晶圆柱，从而提高了夹持本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PLC晶圆加工用激光切割设备，包括装置本体(1)，其特征在于：所述装置本体(1)的顶部设置有工作台(5)和支撑杆(3)，所述工作台(5)设置在支撑杆(3)的前面，所述支撑杆(3)伸出部分的底部设置有活动激光发射器(6)，所述工作台(5)顶部的左端开设有滑道，所述滑道的内部阵列设置有两个活动夹持件(4)，所述工作台(5)的左端固定安装有活动推杆(2)，所述工作台(5)顶部的右端设置有冷却结构。2.根据权利要求1所述的一种PLC晶圆加工用激光切割设备，其特征在于：所述冷却结构包括喷洒装置(7)、水泵(8)、喷洒头(9)、过滤网(10)、过渡支撑区(11)和净水区(12)，所述工作台(5)右端的中部开设有过渡支撑区(11)，所述过渡支撑区(11)的顶部设置有过滤网(10)，所述过渡支撑区(11)的右侧开设有净水区(12)，所述净水区(12)的顶部固定安装有喷洒装置(7)，所述喷洒装置(7)的顶部固定安装有水泵(8)，所述喷洒装置(7)的左侧固定安装有喷洒头(9)。3.根据权利要求1所述的一种PLC晶圆加工用激光切割设备，其特征在于：两个所述活动夹持件(...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凡，
申请(专利权)人：宁波宝芯源功率半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：