半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法。此处所述的鳍状场效晶体管装置与其形成方法中，源极/漏极接点的电阻/电容功率损失降低，且源极/漏极接点与栅极通孔之间的工艺容许范围增加。金属隆起物可形成于第一材料的源极/漏极接点的第一凹陷中。金属隆起物与接点通孔可由第二材料形成，且接点通孔可形成于金属隆起物上，以提供鳍状场效晶体管的混合的源极/漏极接点，且源极/漏极接点与金属隆起物之间的界面具有大表面接点面积。介电填充材料及/或顺应性的接点蚀刻停止层可用于形成隔离区于源极/漏极接点的第二凹陷中，以加大鳍状场效晶体管的栅极接点与隔离区之间的工艺容许范围。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例涉及源极/漏极通孔与源极/漏极接点之间的界面电阻/电容降低，且源极/漏极通孔与源极/漏极接点之间的工艺容许范围增加的方法与其形成的半导体装置。
技术介绍
半导体装置用于多种电子应用中，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，并采用微影图案化多种材料层以形成电路构件与单元于半导体基板上。半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改良多种电子构件如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物的集成密度，以将更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，产生需解决的额外问题。
技术实现思路
在一实施例中，半导体装置的形成方法包括：使源极/漏极接点的第一部分凹陷，以形成凹陷于鳍状场效晶体管装置的第一介电层中，且源极/漏极接点由第一金属材料形成；沉积第二金属材料以形成金属隆起物于凹陷中，金属隆起物物理接触源极/漏极接点，第二金属材料与第一金属材料不同，且金属隆起物与源极/漏极接点之间的界面的第一宽度小于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n使一源极/漏极接点的一第一部分凹陷，以形成一凹陷于一鳍状场效晶体管装置的一第一介电层中，且该源极/漏极接点由一第一金属材料形成；/n沉积一第二金属材料以形成一金属隆起物于该凹陷中，该金属隆起物物理接触该源极/漏极接点，该第二金属材料与该第一金属材料不同，且该金属隆起物与该源极/漏极接点之间的一界面的第一宽度小于该源极/漏极接点的宽度；/n沉积一第二介电层于该金属隆起物上；/n蚀刻一开口穿过该第二介电层并自该第二介电层露出该金属隆起物；以及/n沉积一第三金属材料于穿过该第二介电层的该开口中，该第三金属材料物理接触该金属隆起物以形成一源极/漏极接点通孔，且该...

【技术特征摘要】
20190517 US 16/415,9091.一种半导体装置的形成方法，包括：
使一源极/漏极接点的一第一部分凹陷，以形成一凹陷于一鳍状场效晶体管装置的一第一介电层中，且该源极/漏极接点由一第一金属材料形成；
沉积一第二金属材料以形成一金属隆起物于该凹陷中，该金属隆起物物理接触该源极/漏极接点，该第二金属材料与该第一金属材料不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡国强，陈志辉，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71