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一种半导体装置的形成方法。此处所述的鳍状场效晶体管装置与其形成方法中，源极/漏极接点的电阻/电容功率损失降低，且源极/漏极接点与栅极通孔之间的工艺容许范围增加。金属隆起物可形成于第一材料的源极/漏极接点的第一凹陷中。金属隆起物与接点通孔可由...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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