【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,该装置具有集成在半导体基片上的微观的封闭磁通路。更具体地说,涉及一种集成在半导体基片上的差动螺线管磁场检测装置,用于通过利用差动方式驱动两个软磁性磁膜式磁芯,形成封闭磁通路检测比地磁场要弱的磁场,以及制造该装置的方法。利用软磁性材料和线圈的磁检测器已被长期用作高灵敏度的磁检测器。这样一种磁检测器是通过将一个线圈围绕较大的杆状磁芯或者一个由软磁性带构成的环形磁芯来制造的。为了精确地检测磁场,需要一个电磁回路。已经提出一种方法,其中利用软磁性薄膜式磁芯和平面薄膜式线圈得到磁检测器的磁场检测元件。一种常规的弱磁场检测器件是利用软磁性薄膜式磁芯1a和1b以及平面薄膜式线圈制造的。这两个磁芯1a和1b沿检测轴线的方向平行配置以便随后按照差动的方式驱动。这是为了当没有施加外部磁场时补偿基于电磁感应的感应电压,从而将激磁线圈2a-2b以及磁通变化检测线圈3a-3b围绕软磁性薄膜式磁芯1a和1b绕制。因此常规弱磁场检测器件需要大的面积。此外由于由激磁线圈2a-2b产生的磁通变化以及由磁通变化检测线圈3a-3b检测的磁场的影响,不可能避免通过软磁性薄膜式磁 ...
【技术保护点】
一种差动式螺线管磁场检测装置,包含: 半导体基片; 平行地层叠在该半导体基片上以形成闭合磁通路的软磁性薄膜式磁芯; 由金属薄膜形成的螺线管形激磁线圈,用于对该软磁性薄膜式磁芯进行交替地激磁和差动激磁;以及 由金属薄膜形成的螺线管形磁通变化检测线圈,用于检测软磁性薄膜式磁芯中的磁通变化。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:崔相彦,赵汉基,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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