一种3D TLC闪存存储器及其数据写入方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种3D TLC闪存存储器及其数据写入方法和装置。该3D TLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：接收数据写入命令；根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。本发明专利技术实施例解决了在掉电等异常情况下3D TLC闪存存储器中浮栅电荷量容易受到影响而导致数据稳定性降低的问题，改善了掉电等异常情况下的数据的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种3DTLC闪存存储器及其数据写入方法和装置
本专利技术实施例涉及数据存储技术，尤其涉及一种3DTLC闪存存储器及其数据写入方法和装置。
技术介绍
非挥发性闪存NANDFlash固态硬盘(SSD)相对于传统硬盘HDD有较快的随机访问时间、较低的读取延迟时间和更加一致的读写的性能，甚至有较低的功耗。然而，相对于HDD却需要较高的制造成本。传统上利用SSD是基于单层式储存单元(Single-LevelCell，SLC)或多层式储存单元((Multi-LevelCell，MLC)所构成。单层式储存单元SLC只能储存一位(Bit)的信息，因此每个存储单元只有0或1两种状态。三层式储存单元(Triple-LevelCell，TLC)可以存储超过一位(Bit)信息，传统上TLC存储三位(bit)的信息，所以有八个可能的状态(即000，001，010，011，100，101，110，111)。利用SLC的SSD更具其读写优势。尽管如此，储存兆字节((Megabyte)以上的数据，使用SLC的SSD成本极其昂贵。有鉴于此，市面上的固态硬盘多采用多层式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D TLC闪存存储器的数据写入方法，其特征在于，所述3D TLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：/n接收数据写入命令；/n根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；/n在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。/n

【技术特征摘要】
1.一种3DTLC闪存存储器的数据写入方法，其特征在于，所述3DTLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块，所述数据写入方法包括：
接收数据写入命令；
根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中；
在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。


2.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，在所述选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块中之时，若所述3DTLC闪存存储器存在掉电现象，则重新选择一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。


3.根据权利要求1所述的数据写入方法，其特征在于，所述预设数据量的数据包括预设组的数据，所述在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时，选取一所述三层存储单元存储数据块，并将所述预设数据量的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块，包括：
在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据为预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将所述预设组的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块；
在后续写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据与先前写入的最后一组的数据的和为预设组的数据时，选取一所述三层存储单元存储数据块，将后续写入的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块。


4.根据权利要求3所述的数据写入方法，其特征在于，在所述将所述预设组的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块之后，和，在所述将后续写入的数据搬移至所述三层存储单元存储数据块之后，还包括：
更新所述三层存储单元存储数据块倒数预设组中除最后一组外的数据的逻辑对物理映射表。


5.根据权利要求4所述的数据写入方法，其特征在于，更新所述三层存储单元存储数据块倒数预设组中除最后一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈诚，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11