【技术实现步骤摘要】
一种数据重建方法、装置及存储设备
本专利技术实施例涉及存储器
，尤其涉及一种数据重建方法、装置及存储设备。
技术介绍
NANDflash是一种非易失闪存，其基本存储单元为浮栅场效应管，浮栅场效应管包括源极、漏极、控制栅极和浮置栅极四个端电极。通常情况下，浮置栅极不带电荷，浮栅场效应管处于不导通状态。编程时，浮栅场效应管的漏极和控制栅极都加上较高的编程电压，源极则接地，大量电子到达浮置栅极，电子注入浮置栅极后，即使在掉电的情况下，该电子仍然会存留在浮置栅极上。但是，如果NANDflash存储设备掉电时，有一笔数据正在写入NANDflash存储器中，那么这一笔数据会非常地不稳定。当NANDflash存储设备重新上电后，这一笔数据可能会在数据正确和数据错误中变化。现有技术中，通常对遭遇掉电的数据进行反复读取，如果多次读取出的数据均为正确数据则认为这一笔数据是可靠的，否则认为这一笔数据是无效数据。但遭遇掉电的数据的存储空间的编程状态是不确定的，有可能某次读取出的数据是正确的，但放置一段时间后再读取出的数据是错误...
【技术保护点】
1.一种数据重建方法，其特征在于，包括：/n在存储设备上电后，读取所述存储设备断电时正在写入数据的数据块中的有效数据；/n将读取出的所述有效数据重新写入所述存储设备中。/n
【技术特征摘要】
1.一种数据重建方法，其特征在于，包括：
在存储设备上电后，读取所述存储设备断电时正在写入数据的数据块中的有效数据；
将读取出的所述有效数据重新写入所述存储设备中。
2.根据权利要求1所述的数据重建方法，其特征在于，所述读取所述存储设备断电时正在写入数据的数据块中的有效数据之前还包括：
读取信息管理数据块中的数据块管理信息，并获取所述存储设备断电时正在写入数据的数据块的块号；
所述读取所述存储设备断电时正在写入数据的数据块中的有效数据包括：
根据所述存储设备断电时正在写入数据的数据块的块号，读取所述存储设备断电时正在写入数据的数据块中的有效数据。
3.根据权利要求2所述的数据重建方法，其特征在于，所述将读取出的所述有效数据重新写入所述存储设备中之后还包括：
将重新写入有所述有效数据的数据块的块号保存至所述信息管理数据块中。
4.根据权利要求1所述的数据重建方法，其特征在于，所述将读取出的所述有效数据重新写入所述存储设备之前，还包括：
对读取出的所述有效数据进行错误检查，并在所述错误检查结果为所述有效数据正确时，执行所述将读取出的所述有效数据重新写入所述存储设备的操作。
5.一种数据重建装置，其特征在于，包括有效数据读取模块和有效数据写入模块；
...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈诚，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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