MEMS压力芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种MEMS压力芯片及其制备方法，MEMS压力芯片包括支撑部、感应层和桁架结构，支撑部具有通腔，感应层悬空于通腔且通过支撑部支撑桁架结构包括基架以及至少两个支梁，基架上设有第一镂空区域，各支梁的一端连接至基架，另一端延伸至支撑部，使得支梁、基架与支撑部之间围设形成至少两个第二镂空区域，感应层通过第一镂空区域和第二镂空区域暴露。本发明专利技术能够改善压力芯片输出的线性度、温飘性能和时飘性能，并减小因桁架结构引入的附加质量对压力芯片的输出造成的加速度干扰。

【技术实现步骤摘要】
MEMS压力芯片及其制备方法
本专利技术涉及微机电系统
，具体涉及一种MEMS压力芯片及其制备方法。
技术介绍
压力敏感芯片是一种将压力信号转换为电信号的敏感单元，采用半导体工艺制备的微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)压力芯片具有小型化、低功耗、成本低、均一性好、便于大批量生产的优点，因此MEMS压力芯片目前已被广泛应用于消费电子、医疗电子、工业电子、航天航空等各个领域。用于测量微小量程(从几百帕到几十千帕范围内)压力变化的压力芯片一般统称为微压压力芯片，由于需要测量微小量程的压力变化，微压压力芯片应具有极高的灵敏度，以在微弱的压力变化下具有可检测的电压输出改变，同时为保证输出结果的准确性，微压压力芯片应具有良好的稳定性。因此，亟需提供一种灵敏度高且稳定性好的MEMS压力芯片。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种灵敏度高且稳定性好的MEMS压力芯片及其制备方法。本专利技术实施例提供一种MEMS压力芯片，MEMS压力芯片包括：支撑部，具有通腔；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS压力芯片，其特征在于，包括：/n支撑部，具有通腔；/n感应层，悬空于所述通腔且通过所述支撑部支撑；/n桁架结构，设置于所述感应层的一侧表面上，所述桁架结构包括基架以及至少两个支梁，所述基架上设有至少一个使所述感应层暴露的第一镂空区域，各所述支梁的一端连接至所述基架，另一端延伸至所述支撑部，使得所述支梁、所述基架与所述支撑部之间围设形成至少两个使所述感应层暴露的第二镂空区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS压力芯片，其特征在于，包括：
支撑部，具有通腔；
感应层，悬空于所述通腔且通过所述支撑部支撑；
桁架结构，设置于所述感应层的一侧表面上，所述桁架结构包括基架以及至少两个支梁，所述基架上设有至少一个使所述感应层暴露的第一镂空区域，各所述支梁的一端连接至所述基架，另一端延伸至所述支撑部，使得所述支梁、所述基架与所述支撑部之间围设形成至少两个使所述感应层暴露的第二镂空区域。


2.根据权利要求1所述的MEMS压力芯片，其特征在于，所述支梁的数量为两个，两个所述支梁同向延伸且分别设置于所述基架两侧；或，
所述支梁的数量为三个，其中两个所述支梁沿第一方向延伸且分别设置于所述基架两侧，另一个所述支梁的延伸方向垂直于所述第一方向。


3.根据权利要求1所述的MEMS压力芯片，其特征在于，所述支撑部的所述通腔的横截面为方形，所述支梁的数量为四个，四个所述支梁的一端均连接至所述基架，另一端分别延伸至所述支撑部的四个侧边；
优选地，所述基架设置于所述感应层的中心，各所述支梁环绕所述基架等间隔分布。


4.根据权利要求1所述的MEMS压力芯片，其特征在于，所述桁架结构的数目为至少两个，两个所述桁架结构间隔设置。


5.根据权利要求1至4任意一项所述的MEMS压力芯片，其特征在于，所述支撑部、所述感应层和所述桁架结构为一体式结构。


6.根据权利要求1至4任意一项所述的MEMS压力芯片，其特征在于，还包括压敏电阻组件，所述压敏电阻组件包括引线和通过所述引线电连接的多个压敏电阻，所述压敏电阻与所述感应层接触连接，所述压敏电阻组件根据所述感应层的形变产生电信号；
优选地，所述压敏电阻组件的各所述压敏电阻通过所述引线电连接为惠斯通电桥；
优选地，所述压敏电阻设置于所述桁架结构的应力集中区域。


7.根据权利要求1至4任意一项所述的MEMS压力芯片，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层位于所述感应层设置有所述桁架结构的一侧且覆盖所述桁架结构以及所述支撑部在自身厚度方向上的第一表面；
优选地，覆盖所述支撑部的所述钝化层设置有使至少部分所述引线暴露的连接孔，所述连接孔内形成有与所述引线连接的焊盘。


8.根据权利要求7所述的MEMS压力芯片，其特征在于，还包括硅氧化层，所述硅氧化层位...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂泳忠，吴桂珊，李腾跃，卢法光，
申请(专利权)人：西人马联合测控泉州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35