使用板化聚合物层间电介质对多芯片模块可测试性的改进制造技术

本发明专利技术通过使用一种新技术检测基底上的电场强度，而改进了多芯片模块（ＭＣＭ）的可测试性。本发明专利技术采用非侵袭性的基于激光的仪器探测用极化聚酰亚胺层间电介质和在硅载体上的薄膜金属化制造的ＭＣＭ结构。用激光器探测ＭＣＭｓ的电路元件特征以检测电场强度。确定电光电介质层的电气，机械和光学性质以研究既作为电介质层又作为适于激光探测的聚酰亚胺的效能与极化效应和加工操作的关系。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
对有关申请的相互对照参考文献本申请要求了1998年10月14日申请的申请号为60/104,145的美国临时申请的优先权，它全部被并入参考文献。美国政府权利的声明本专利技术是在和美国海军部签订的合同编号N00039-95-C-0002下由政府支持完成的。美国政府在本专利技术中拥有某些权利。本专利技术的背景本专利技术所属的领域本专利技术是在多级薄膜金属化电路结构中用于多芯片模块(MCMs)的非侵袭性高速测试的基于激光的解决方案，更具体地说是在多级薄膜金属化电路结构中使用色基掺杂聚酰亚氨为层间电介质。该电介质通过在强电场中使器件极化转换为电光材料。在电路中存在电信号时，色基掺杂聚酰亚氨的电光系数的变化可用激光来检测。在极化电介质和激光束间的电光相互作用，允许MCM中的内电场强度确定为位置的函数。对相关技术的描述当封袋变小时，在复式多芯片模块结构中进行集成电路和它们的互联基底的原地试验和表征的能力正变得日益重要。电光探测依赖于材料在电场存在时折射率的变化(线性电光效应)。线性电光效应首先在属于缺少反演对称中心的晶类中的晶态固体中进过研究。砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)是显示该效应的普通半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多芯片模块电路结构，包含： 基底； 在所述基底上形成的金属层； 在所述金属层上形成的多种色基掺杂的聚酰亚胺层间电介质层；以及 在每一种所述多种色基掺杂的聚酰亚胺层间电介质层上形成的图案化的金属导体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：哈里K小查尔斯，德博拉S梅希特尔，阿瑟S弗兰科马卡罗，
申请(专利权)人：约翰霍普金斯大学，
类型：发明
国别省市：US[美国]