应用于OFET的一类联五元环聚合物及合成工艺制造技术

本发明专利技术涉及应用于OFET的一类联五元环聚合物及合成工艺，该类聚合物材料以具有高共轭结构的新型联五元环作为高分子的主链，通过引入联炔键来连接每一个结构单元，极大地增强了其分子整体的共轭效应。该类新型的联五元环聚合物可作为活性层材料应用于有机场效晶体管（OFET）中，能够极大的提高电荷载流子的迁移率和开关比。并且所制备的聚合物具有相当好的热稳定性与化学稳定性，廉价，高效，制作工艺简单，基于以上这些特点，此类材料在有机光电器件领域具有极高的潜在应用价值及市场前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机合成
，具体涉及ー类以联五元环为结构单元的聚合物及合成エ艺。
技术介绍
近年来，有机薄膜场效应晶体管(OFET)取得了很大的发展，离不开其下述的主要优点(I)有机薄膜的膜技术更多，更新。传统的技术如光刻、真空蒸发等因为设备复杂、成本昂贵而逐渐被改善。现在研究人员正致力于溶液沉积技术以及和其他非真空技术结合在一起的器件制各技术的研究，并取得了很大的进展。(2)0FET可以作成大面积的器件，如智能卡、识别卡、液晶显示器的驱动器等，而无机场效应管因受单晶硅晶体尺寸的限制而多采用无定型硅和多晶硅，但制各过程中需要的高温使得它不能构筑在聚合物基底上。(3)以有机聚合物制成的有机场效应晶体管，其电性能可通过对有机分子结构进行适当的修饰(在分子链上接上或截去适当的原子和基团)而改变材料的各种性能。同时，通过化学或电化学掺杂，有机聚合物的电导率能够在绝缘体到良导体这样ー个很宽的范围内变动。因此，通过掺杂或修饰技术，可以获得理想的导电聚合物。(4)有机物易于获得，有机场效应管的制作エ艺也更为简单(它并不要求严格地控制气氛条件，也无苛刻的纯度要求)，因而能有效地降低器件的成本。本文档来自技高网...

【技术保护点】
应用于OFET的一类联五元环聚合物，其特征在于，该化合物通过在外围引入非对称的强给电子基团与强极性的吸电子基团，并选择新型的联五元环为中心，极大地增强了分子的共轭性，聚合物具有通式（1）如下：??????????（1），??其中，R为、、、、或，n为1?18的整数；m为10?50的正整数。822925dest_path_image001.jpg,625184dest_path_image002.jpg,617411dest_path_image003.jpg,109572dest_path_image004.jpg,944673dest_path_image005.jpg,688638dest...

【技术特征摘要】
1.应用于OFET的一类联五元环聚合物，其特征在于，该化合物通过在外围引入非对称的强给电子基团与强极性的吸电子基团，并选择新型的联五元环为中心，极大地增强了分子的共轭性，聚合物具有通式(I)如下2.一种如权利要求1所述的应用于OFET的一类联五元环聚合物的合成工艺，其特征在于，具体包括以下步骤 (1)将2，5-二溴苯胺溶解在适量的冰醋酸中，并滴加几滴浓硫酸， 然后逐滴滴...

【专利技术属性】
技术研发人员：王冬，赵玉真，李辰悦，梁蓬霞，弥永胜，张婉姝，陈刚，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：